京都大學等發現照射高強度太赫茲脈衝可使相變材料生長出晶體

日本的由京都大學、筑波大學、東海大學和產業技術綜合研究所組成的研發小組發現，向相變材料 GeSbTe 化合物（GST）照射高強度太赫茲脈衝後，該材料會以納米尺寸從非晶狀態生長出晶體。GST 是作為目前使用的記錄型DVD和新一代非易失性固體存儲器而備受期待的相變存儲器記錄材料。

本次研究利用世界最高強度的太赫茲脈衝生成技術，成功向GST照射了高電場皮秒（一萬億分之一秒）脈衝，晶體部分尖端的焦耳熱促進晶體逐漸生長，由此可以引起沿著電場方向生長的各向異性晶體生長。

這項研究成果明確了在存儲器的開關動作中瞬間發生的高電場效應，另外還顯示出引起納米尺寸的極小結構變化的可能性，今後有助於實現相變存儲器的小型化和高效率化。

相關研究論文於2018年10月12日發表在美國物理學會的學術期刊《物理評論快報》上。

（左）顯微鏡照片，拍攝了隨著照射的高強度太赫茲脈衝增加，相變材料GeSbTe化合物由非晶狀態（灰色）一維結晶（白色）的樣子 （右）模式圖

文 JST客觀日本編輯部

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