SK Hynix推1Ynm工的8Gb DDR4：生產效率提升20％，功耗降低15％

在全球DRAM內存晶元市場上，SK Hynix目前的市場份額達到了29%，僅次於三星的45%，位列全球第二，領先於美光。在DRAM技術上，今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工藝的DRAM內存晶元，SK Hynix日前也宣布開發出1Ynm工藝的8Gb DDR4內存，頻率3200Mbps，同時生產效率提升20%，功耗降低了15%。

8Gb DDR4-3200內存顆粒本身並不新鮮，三星/SK Hynix/美光兩年前就有類似的產品了，不過這次的8Gb DDR4內存晶元是1Ynm工藝，這是1Xnm工藝之後第二代10nm級DRAM工藝，三星、美光之前已經宣布過類似的產品，現在是SK Hynix試產新工藝了。

在20nm節點之後，DRAM內存工藝的線寬指標不再那麼精確，所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分，簡單來說1Xnm工藝相當於1Znm工藝大概是12-14nm級別，現在三星、美光及SK Hynix是進行到了第二代10nm級工藝，不過三家量產的產品不同，三星、美光都是選擇LPDDR4X內存首發1Ynm工藝，SK Hynix選擇的是1Ynm工藝的DDR4-3200內存。

除了工藝升級，SK Hynix還表示他們的1Ynm工藝8Gb DDR4晶元在生產效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通過Sense Amp.Control技術，1Ynm工藝的DDR4晶元能耗降低了15%，

根據SK Hynix的規劃，1Ynm工藝的DDR4內存預計會從明年Q1季度開始出貨，首先面向伺服器及PC產品，接下來還會有針對移動設備等產品的1Ynm工藝內存晶元。

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