Intel英特爾的晶元始終徘徊14nm++，瓶頸在哪裡？
科技
11-30
瓶頸在於Intel真正想搞的10nm，晶體管數量上Intel自己的期望值是目前14nm的2.7x，接近三星剛搞出來的7nm單位面積晶體管數目。當然因為良品率問題，目前期望值是14nm的2.4x。如果資料沒錯，三星的EUV 7nm是101.23MTr/mm2 Intel 10nm原本想做到100.8MTr/mm2。
台積電DUV 7nm只有83MTr/mm2。台積電貌似宣布EUV N7+流片成功，不過官方說法是僅限於四個非關鍵層，晶體管密度提升20%，粗略計算應該是99.3MTr/mm2。而且據台積電明年試產5nm來看，可能不會有N7++了。
兩家選擇的突破方式不一樣。TSMC用極紫外光刻跳過了目前的一些問題，但是Intel不準備在接下來的10 7……等節點用極紫外光刻機。
並且如果Intel這次攻克難關了，接下來的所有節點都沒有大的難題了，可能還可以恢復之前的技術優勢。但是TSMC未來幾年還是會面臨現在跳過的這些問題。
Intel看不到EUV的希望，打算靠傳統工藝一路走到半導體的盡頭，而10nm則是這個計劃的實驗平台，Intel在10nm節點上一次性引入了諸多一直可以用到5nm甚至3nm的技術，打算通過放棄一代工藝量產時間作為代價，一次性打通通往末日的盡頭。步子太大，以至於Intel也扯到了蛋，但一旦10nm成功量產，原則上說Intel就直接具備了製造5nm晶元的所有技術，而其他的幾個製造商，目前還沒開始真正的啃硬骨頭，雖然看起來順風順水，線寬數字一路推進，但未來會不會遇到難以逾越的大坑就天知道了。
