中國把超分辨光刻機賣出白菜價，僅為ASML EVU光刻機價格2％

昨天中科院光電所研發成功的紫外超分辨光刻機在各大媒體上刷屏了，它打破了傳統光學光刻分辨力受限於光源波長及鏡頭數值孔徑的傳統路線格局，使用365nm波長就能實現單次曝光最高線寬分辨力達到22nm。除了技術水平之外，中科院的這套光刻機價格非常低廉，項目副總設計師胡松表示其售價會在1000萬到2000萬元之間，這價格在光刻機中真的是白菜價了，ASML的193nm光刻機售價在7000萬美元以上，EUV光刻機售價在1億歐元以上，國內的光刻機價格僅為EUV光刻機價格2%，不過雙方的技術體系也是不同的，國產光刻機現在還取代不了ASML的光刻機。

來自中科院官方的消息報道，中科院光電所所長、超分辨光刻裝備項目首席科學家羅先剛研究員介紹說，2012年，該所承擔了超分辨光刻裝備這一國家重大科研裝備項目研製任務，經過近7年艱苦攻關，在無國外成熟經驗可借鑒的情況下，項目組突破了高均勻性照明、超分辨光刻鏡頭、納米級分辨力檢焦及間隙測量和超精密、多自由度工件台及控制等關鍵技術，完成國際上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備研製，其採用365納米波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米(約1/17曝光波長)。在此基礎上，項目組還結合超分辨光刻裝備項目開發的高深寬比刻蝕、多重圖形等配套工藝，實現了10納米以下特徵尺寸圖形的加工。

這一世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備是基於表面等離子體超衍射研製而成，它打破了傳統光學光刻分辨力受限於光源波長及鏡頭數值孔徑的傳統路線格局，形成了一條全新的超衍射納米光刻從原理、裝備到工藝的技術路線，具有完全自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義晶元等變革性戰略領域的跨越式發展提供了製造工具。

除此之外，國產的光刻機還有一個優勢就是價格便宜，項目副總設計師胡松在接受《環球時報》記者採訪時提到每台光刻機的售價應該在1000萬元到2000萬元人民幣之間，未來市場前景廣闊，但是完全替代荷蘭ASML公司壟斷的尖端集成電路光刻機還有一段路要走。

「我們自主研製的光刻設備目前可以小批量生產，助力新型納米器件產品製造。在生產效率、套刻精度、晶元面積和成品率上還有待進一步提升」，副總設計師胡松說。

光電所根據實際需要，已經實現了相關器件的製造，包括納米透鏡和波前調控等超材料/超表面器件，大口徑輕量化薄膜鏡等第三代光學器件，切倫科夫輻射、LSPR和SERS生化感測、超導納米線單光子探測等系列新型納米器件的製造。

相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科大太赫茲科學技術研究中心、四川大學華西醫院、中科院微系統所信息功能材料國家重點實驗室等多家科研院所和高校的重大研究任務中取得應用。

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