中國區入選ISSCC 2019論文數18篇

11月30日，晶元奧林匹克IEEE國際固態電路峰會ISSCC 2019中國發布會今天舉行，對入選ISSCC 2019論文情況進行公布。

文｜集微網

校對｜藍天

圖源｜集微網

集微網珠海站報道 11月30日，晶元奧林匹克IEEE國際固態電路峰會ISSCC 2019中國發布會今天舉行，對入選ISSCC 2019論文情況進行公布。

中國區入選ISSCC 2019的論文數為18篇（以第一作者所在地統計），涵蓋電源管理、有線通信、數據轉換器、數字架構和系統、數字電路、存儲器、射頻電路、圖像/MEMS/醫療和顯示等8大領域。

從數量來看，中國區入選論文數2019年創新高，比2018年的14篇增加了4篇，繼去年超過日本後又首次超過了中國台灣；從領域來看，存儲相關論文首次入選，電源管理、射頻電路領域的累積最多；從地區來看，澳門入選論文8篇、香港入選論文1篇、內地入選論文9篇；從機構組織來看，澳門大學入選論文8篇，復旦大學入選論文3篇，清華大學入選論文2篇，上海交通大學、東南大學、ADI北京、ADI上海入選論文各1篇。

魏少軍在會上表示，我國晶元行業的發展需要資本和技術兩個輪子。如今，資本並不是很稀缺，但是技術依然稀缺。我國在過去的二三十年當中，技術進步快，但是基礎不牢固，很多技術進步是建立在工藝與EDA工具的進步之上。在提升的過程中就需要掌握世界上最先進的設計技術。積极參与國際一流學術會議，並將自身技術進行展示是一個很好的提升途徑。ISSCC在過去幾十年，吸引了全球最好的晶元設計工程師，很多世界著名的科學技術都是在ISSCC上首發的。所以希望國內工程師充分參與到ISSCC平台，以進行實力的提升。

以下為中國區入選論文名單：

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