GlobalFoundries攜手這家公司，曾幫台積電搶下高通「超級大單」

GlobalFoundries 不再衝刺高端技術後，轉而強調特色工藝的布局，並強化嵌入式技術平台競爭力，日前在 0.13 微米 BCD 相關平台上，正式導入 IP 供應商力旺（ememory）的嵌入式多次編寫存儲矽智財 MTP 技術，而該 IP 公司正是幫台積電搶下高通（Qualcomm）新一代 PMIC 晶元「超級大單」的幕後功臣之一。

特色工藝技術成為半導體領域的另一個焦點，尤其是 BCD 工藝（Bipolar-CMOS-DMOS 雙極/互補/擴散金氧半導體）是一大戰場，台積電就憑藉著 BCD 技術搶下高通新一代的電源管理晶元（PMIC）訂單，這張醞釀多年的「超級大單」，原本應該在 2017 年就進入量產，因故延宕後，終於在近日開始於台積電內部生產。

（來源：DT 君）

新一代的電源管理晶元是高通主導的全新規格，可能是近五年來高通針對該晶元的最大一次設計改款，對於該產業版圖也是另一番光景。過去高通的電源管理晶元主要在中芯國際進行生產，進入新一代規格後，台積電以 BCD 工藝平台拿下多數訂單比重。

值得注意的是，台積電與高通合作的電源管理晶元訂單，也正式導入嵌入式 IP 供應商力旺的一次性編寫存儲矽智財 OTP 技術，這不是力旺與台積電、高通的首次合作，卻是近幾年來三方最重要的一次策略聯盟。

著眼於 BCD 技術未來的發展空間，GlobalFoundries 日前也擴大 BCD 與 BCDLite 工藝平台的布局，在 0.13 微米技術上導入力旺的 MTP 矽智財，鎖定車用、無線充電、USB Type C 三大市場猛攻。

GlobalFoundries 在 0.13 微米平台的嵌入式可多次編寫 (Multiple-Times Programmable，MTP) 矽智財已符合車規驗證標準 AEC-Q100 Grade 1，第二代的 MTP 技術也進入布局，其中，符合 AEC-Q100 Grade 1 的 MTP 操作溫度可達 150°C，在溫度區間 ( -40°C~150°C ) 編寫可達 1,000 次，並能在 125°C 的高溫下維持 10 年以上的資料留存能力。

（來源：GlobalFoundries）

力旺的第二代的 MTP 存儲面積縮小超過 40%，無線充電晶元設計客戶可藉由嵌入 MTP IP，允許頻繁修改內設的電源開關順序、輸出電流與溫度控制等規格參數，以達到產品優化目的。

GlobalFoundries 和力旺在不同工藝技術平台上都有緊密合作，這次雙方擴展至二代 MTP 技術上，預計 BCD 與 BCDlite 工藝平台會在 2019 年完成可靠度驗證。

另外，韓國的半導體廠 Dongbu 的 0.18 微米 BCD 工藝平台也完成力旺的二代 MTP 技術布局，Dongbu 的該平台也是主攻電源管理晶元，尤其是無線充電和 USB Type C 相關晶元。

未來各種嵌入式存儲技術在邏輯工藝製程上所扮演的角色越來越重要，OTP 和 MTP 矽智財更成為 BCD 工藝平台必備的矽智財組合，尤其是針對電源管理晶元相關的應用，陸續會看到更多矽智財技術提供方、晶圓代工廠、晶元設計客戶的雙向或是三方合作，擴大該市場商機。

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