投資916億！SK海力士韓國利川新工廠M16開工建設，2020年下半年量產

編譯：Peter

來源：ET News

SK海力士在京畿道利川投資15萬億韓元（約916億人民幣），建設新的半導體生產線M16。

19日，SK海力士在利川工廠舉行了M16奠基儀式。

在本次活動中，SK集團會長崔泰源，SK集團首席副會長崔再源，SK Supex追求協議會議長Jo Daesik，全球成長委員長Park Jeungho, SK集團ICT委員長Park Seungwook, SK海力士代表理事Lee Seokhee等首腦部門領導都出席了活動。顯示出在最近半導體市場的高點爭議和市況悲觀論擴散的情況下，SK計劃通過進攻性投資取得正面突破的意圖。

SK集團崔泰源稱：「SK海力士已經寫出了一部克服艱難時期，在挫折中也堅持希望並取得成功的成長故事」，並稱「M16不僅要依靠尖端的硬體技術，也傾注我們的汗水和努力，去創造新的成長神話。」再次表明了對半導體事業投資和培育的強烈的決心。

SK集團會長崔泰源在開工儀式上致辭

M16是引領SK海力士未來的最尖端的半導體工廠。具備為了新一代微細工程的極紫外光刻（EUV）設備等，並將生產10幾納米的DRAM等尖端產品。並計劃於2020年下半年稼動。

M16工廠的建設是崔會長在2015年M14產線竣工儀式上提出的共計46萬億韓元規模的「未來願景投資計劃」中的一環。總投資規模包含設備採購金額，約15萬億韓元。

M16完工後，繼目前利川的M10（DRAM）·M14（DRAM·Nand Flash）和忠清北道清州的M11·M12·M15（Nand Flash），中國無錫C2（DRAM）等之後，記憶晶元產品產能將大幅擴大。

SK海力士在繼10月初完成忠清北道清州的Nand Flash專用產線M15竣工後，便積極進行對C2產線的擴張施工等設備投資。

與此同時，計劃通過中國無錫合資法人在當地建設晶元代工廠，正式構建DRAM、Nand Flash和代工廠等「半導體三角成長軸」。

尤其是SK海力士正在與韓國政府共同促進大規模「半導體特色產業園區」構建方案。計劃不僅有半導體生產線，零部件、材料、設備企業也將入住園區，發揮協同作用。韓國政府最近正從恢復經濟活力層面向SK發出邀請，SK海力士也在進行詳細研究。

SK海力士社長Lee Seokhee稱「若說10幾年沒有建新工廠的SK海力士，在M14和M15建設上實現了許久以來的願望，那麼M16工廠則是SK海力士實現另一個跳躍的起跑線」，並稱「將通過與全球最先進尖端的基礎設施相匹配的創新與技術創造新的未來。」

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