內存/快閃記憶體產能過剩 三巨頭明年一齊減產

這兩年，DRAM晶元和內存條價格經歷了一波瘋漲，如今已經慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND快閃記憶體產能一直很充裕，SSD固態硬碟的價格也是持續走低，性價比越來越高。

但是這對於內存、快閃記憶體晶元廠商來說，並不是好消息，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財務電話會議上表示，當前DRAM內存晶元市場查能過剩、庫存持續增加，導致價格下跌、拖累產業。

美光預計明年內存晶元產能增幅為15％，低於此前預期的20％，NAND快閃記憶體晶元也只會增長35％，低於此前預計的35-40％。

為了解決供過於求的問題，美光計劃將明年全年的資本支出下調12.5億美元降至95億美元，以減少DRAM內存、NAND快閃記憶體晶元產能。

不過產能調整需要時間，美光預計可能要明年下半年才會恢復供需平衡。

同時，三星、SK海力士也有類似的減產計劃，三星更是會增加晶圓代工市場份額，以彌補晶元降價帶來的損失。

市調機構IC Insights預計，明年半導體行業的整體資本支出可能會比今年減少12％，其中三星、Intel、SK海力士、台積電、美光三巨頭合計減少14％，其他減少約7％。

看這意思，內存、固態硬碟的價格很可能會在明年年中前後出現反彈。

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