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MRAM技術到底有何魔力,竟引得三星和英特爾都虎視眈眈?

大家都知道我們現在用的磁碟,不管是固態硬碟還是機械硬碟都是有容量擦寫限制的,當你達到了一定的容量之後,磁碟讀寫速度就會下降,而且非常容易丟失數據,這時候基本上就可以宣告硬碟報廢了,無非是好一點的硬碟堅持擦寫的時間可能會長一點,但是MRAM技術的出現似乎打破了這個限制。

磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory),簡稱為MRAM,它是一種一種非易失性記憶體技術。我們現在磁碟所用的技術叫做DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。

MRAM技術的速度接近靜態隨機記憶體的高速讀取寫入能力,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,但平均能耗遠低於DRAM,而且基本上可以無限次地重複寫入。無限次的重複寫入,相信各位小夥伴聽到這裡都露出來開心的笑容,媽媽再也不用擔心我花錢換硬碟了呢,而且說不好還可以當做傳家寶傳承下去。

所以在這次的第64屆國際電子器件會議( IEDM )上,全球兩大半導體龍頭英特爾和三星就開始秀「肌肉」了,他們向眾人展示了這項新技術。Intel和三星共同表示MRAM 技術可在200 攝氏度下實現長達10 年的記憶期,而且基本上是可以實現持久性的,而且Intel表示會將這項技術運用在22nm製程中,而且據Intel透露的信息,這項技術已經準備商用,開始大量生產。

但是與Intel不同的是,三星準備將這項技術運用到汽車和工業上邊,但是商用的話就必須要保持晶元的穩定性,所以三星採用了較為保守的辦法,他們將運用28nm的製程,三星方面覺得28nm製程在可擴展性、形狀依賴性、磁性可擴展性等方面是非常優秀的。其實這項技術早就在1990年就開始研究了,但是在當時卻沒有取得成功。三星研發中心首席工程師Yoon Jong Song說:「我認為現在是展示MRAM可製造和商業化成果的時候了!」

隨著5G的即將來臨,大家可以想像一下網速會有多快,但是一個很重要的問題就是,網速是快了,但是你的內存讀寫速度是不是跟不上了,但是這項技術就很好的解決了這個難題,因為它具有快速讀寫、高耐用性、優秀的保留性,不過說這麼多大家可能最感興趣的就是價格問題了,不過大佬們都沒有開口,我這個小編也不敢妄言,不過相信價格也不會太離譜,畢竟5G的用戶群體那麼大,大家就準備好小板凳坐等5G的到來吧。

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