三星：3nm工藝最早2021年量產

IT之家1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布了5/4/3nm工藝技術。據今日Tom"s Hardware帶來的消息，三星計劃最早在2021年開始量產3nm工藝晶元。

除此之外，三星方面還表示，將在今年下半年開始生產7nm EUV晶元。在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或稱「環繞式結構FET」）工藝。不過包括Garner副總裁Samuel Wang在內的一些業內人士，對GAAFET晶元是否能在2022年前投入生產表示了懷疑。

雖然台積電、格羅方德Global Foundries）在EUV晶元開發上方面並不落後，但三星也有自己的一個優勢。三星已經在內部開發了自家了EUV掩膜檢測工具，只是尚未開發出類似的商業工具。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！