三星3nm工藝晶元最早2021年量產

PingWest品玩1月12日訊，根據Tom"s Hardware報道，三星計劃最早在2021年開始量產3nm工藝晶元。同時，三星計劃將在今年下半年開始生產7nm EUV晶元。

在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或稱「環繞式結構FET」）工藝。當時一些業內人士預測，該工藝最早會在2022年實現量產，但目前看來三星會比預測更快的實現量產。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！