預測：存儲級內存將取代 NAND 快閃記憶體！

存儲級內存（SCM）克服了NAND快閃記憶體的局限性，因而勢必會取而代之。

存儲級內存（SCM）這種RAM能夠像NAND快閃記憶體那樣保保存其內容，但兼具DRAM的速度，最終將會取代快閃記憶體成為首選的高速存儲介質。

這是HPE旗下3PAR存儲部門副總裁兼總經理Ivan Iannaccone的預測。不過他補充道，這需要藉以一段時日。

他說：「這不會在一夜之間發生。SCM變得經濟上可行只是時間問題，但最終會取而代之。大概10年後吧。」

就每位元組成本而言，SCM比快閃記憶體貴四倍左右。目前只有兩家供應商生產SCM：英特爾和三星。英特爾以Optane品牌來銷售，面向企業客戶，英特爾的Optane HPE將其用於其存儲陣列。

三星的產品名為Z-SSD，現在專註於消費者，計劃今年晚些時候向OEM廠商提供樣品。據說東芝和西部數據也在開發各自的SCM產品。

除了取代NAND快閃記憶體外，Iannaccone還認為SCM使用的NVMe協議將取代目前存儲陣列中使用的SCSI/SAS介面。他說：「實際上，NVMe是一種與內存進行聯繫的極為精簡的方式。存儲級內存工作起來更像延遲更低的內存。」

由於快閃記憶體的固有設計，存儲級內存的延遲要低得多。快閃記憶體存在性能問題和延遲的最主要原因之一是，為了滿足新寫入而使用的垃圾收集。數據寫入到快閃記憶體驅動器時，它無法覆蓋舊信息。它必須將一個新的數據塊寫入到別處，以後等磁碟I/O處於獃滯時刪除舊文件。

這就是快閃記憶體這種存儲介質的行為方式，由於你總是在之前的寫入後進行清理，這導致了不穩定問題。

SCM比NAND快閃記憶體更快，但仍然很昂貴

由於能夠覆蓋文件，寫入數據所花的時間要短得多，SCM是9ms，而NAND是90ms至100ms。此外，也不存在存儲介質的不可預測性，因為沒有後台進程在運行以優化介質。

英特爾出售的Optane有幾種格式參數。3PAR將其作為存儲陣列的PCI Express附加卡，而不是用在伺服器中。它們充當存儲陣列SSD和伺服器內存之間的高速緩存。增加大約3TB的SCM後，3PAR在Oracle基準測試中實現性能提升了30%，對陣列來說價格提升了5%。

最終，Iannaccone認為SCM能夠從物理位置分解出來，充當多個存儲陣列和與帶有SCM內存的陣列通訊的所有其他陣列的緩存。

他說：「SCM仍然相當昂貴，這就是為什麼我們將它用作一層高速緩存和建立緩存的智能演算法。」

隨著SCM的成本下降，成為一種更切實可行的快閃記憶體替代品，使用場合會更多樣化。對於大容量存儲而言，每GB位元組成本很划算，但它又擁有高性能，可以針對I/O優化成本。

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