三星宣布量產1TB eUFS 2.1晶元，Galaxy S10系列或搭載

日前三星宣布量產首款1TB eUFS 2.1晶元，該晶元可用於智能手機活其他移動設備上，提供對比之前產品更優秀的性能。

該晶元採用16層512Gb V-NAND堆疊，11.5mm×13mm封裝規格，存儲容量翻倍情況下與前代這點相同。該晶元支持最高1000MB/s連續讀取速度及260MB/s連續寫入速度，隨機讀寫性能分別為5.8萬IOPS、5萬IOPS。適合用戶存儲4K視頻、連拍照拍，又或者當下流行的超慢速視頻攝錄等，均可非常優秀的滿足。

與此同時，三星宣布今年上半年將擴大韓國平澤市工廠512Gb V-NAND產能，以滿足後續需求。我們猜測將在2月份發布的三星Galaxy S10系列很可能會採用該晶元，配合可實現更優秀的媒體功能使用體驗。

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