需求增加，價格下降——2019內存市場趨勢預測

2018是不平靜的一年。這一年裡，電子元器件產業鏈經歷了多次原材料缺貨、物料供不應求漲價到供過於求跌價。內存市場也未能倖免，在2018年內存晶元大廠扎堆布局投資擴產，導致產能過剩，造成存儲市場供過於求，導致了消費類存儲產品跌幅過半，影響了企業利潤……

2018年，全球知名的內存晶元廠商三星、SK hynix、美光、TOSHIBA、英特爾等爭相在創新技術上展開激烈競爭，更是在投資、建廠、擴產等方面拉開戰局。

三星電子在存儲器上的投資在2018年降至99億美元，其中DRAM投資81億美元，NAND投資18億美元。為了擴大下一代晶元和快閃記憶體的產能，SK海力士在2017的資本支出創下98億美元的記錄，曾計劃將其2018年的資本支出增加到134億美元。美光科技的資本支出也高達81億美元，但低於上述兩家製造商...▼點擊https://www.esmchina.com/news/4800.html，查看全部

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