晉華悲劇的根源是技術上依賴聯電和把研發中心設在台灣

前不久，鎂光起訴晉華侵權的訴訟已遭美國聯邦法院駁回，理由是晉華的產品並沒有在美國銷售，即使晉華有侵權的事實，美法院也沒有管轄權。不過，即便如此鎂光也可以再補強證據，繼續起訴，把訴訟周期拉長。另外，本次被駁回的侵權起訴和美國司法部出面指控福建晉華、聯電非法取得 DRAM 存儲技術並非同一個案件，也就是說，即便美國聯邦法院駁回起訴，也不意味著晉華就此脫困。對於本次事件，有業內人士分析，晉華最大的敗筆就是在技術上過於依賴聯電，以及沒有把研發中心設在境內。

聯電和鎂光之間最初只是商業糾紛

近年來，在中國大陸企業力圖收購或入股鎂光、SK海力士、閃迪/西部數據未能如願之後，中國大陸企業放棄了直接收購的計劃，選擇了高薪挖人的方式，直接以2倍、3倍、4倍的薪酬從境外公司挖人。

鎂光在中國台灣的合資公司華亞科等企業則是重點挖人對象之一，據媒體報道，已經有數百名員工跳槽到中國大陸的長江存儲、合肥睿力等企業。

根據鎂光公司公布的資料，一位跳槽的員工通過快閃記憶體盤盜取了公司的技術資料，然後交給了新東家聯華電子公司的高管，屬於"帶槍叛逃"。隨即鎂光在去年2月和9月分別在中國台灣和美國對聯電提起訴訟。

由於晉華在存儲晶元上缺乏技術積累，選擇了與聯電合作的技術引進道路，由晉華出資，委託聯電開發 DRAM 相關技術。根據中國台灣"地檢署"公布的資料，晉華提供三億美元資金採購研發設備，並依進度陸續支付聯電四億美元，開發出的技術成果雙方共有，整體技術完成後，再轉移到晉華進行量產。

由於晉華和聯電的這種關係，使鎂光和聯電的糾紛波及到晉華。隨後，聯電和晉華在大陸對鎂光發起的訴訟，聯電和晉華認為，包括鎂光MX500系列的2TB、1TB、500GB、250GB 2.5英寸的固態硬碟的數款產品存在侵權行為。

到這個階段為止聯電、晉華和鎂光的矛盾還處於商業糾紛的階段，並沒有被政治化。

晉華是為聯電擋槍

真正把鎂光逼急了的福州中院的一個裁定——福州市中級人民法院做出了一個非常有智慧的裁定，要求鎂光立即停止銷售、進口十餘款英睿達固態硬碟、內存條及相關晶元，並刪除其網站中關於上述產品的宣傳廣告、購買鏈接等信息。

這裡說明一下，裁定僅用於解決程序性問題，也就是說，法院並沒有認定鎂光的數款產品存在侵權行為。該裁定只是為了防止在訴訟審理期間，鎂光在中國內地銷售產品、開展業務的活動可能會對聯電和晉華造成的利益損失。

但這種裁定雖然沒有就實體部門做出任何裁決，但起到的作用和鎂光敗訴的效果沒兩樣，這就使鎂光非常難受。因此，鎂光遊說美國相關部門，要求美國政府出面施加壓力，也是情理之中。

接著，晉華就被制裁了。根據美國商務部公開的資料，之所以制裁晉華，主要是因為晉華"涉嫌參與違反美國國家安全利益的活動，構成了重大風險"，至於證據什麼的一概沒提。可以說，原本一起商業糾紛，被一些人利用之後過度政治化，這就是晉華被制裁的原因之一。

從整個過程來看，本次晉華實際上是給聯電擋槍。

因為與鎂光存在知識產權糾紛的是聯電，而不是晉華。晉華只不過是出錢委託聯電研發技術，然後通過技術轉讓的方式，獲得聯電研發的技術成果，聯電在研發DRAM技術過程中，是否存在侵犯知識產權的情況，這與晉華無關。

即便鎂光和聯電存在知識產權糾紛，那也應該由鎂光和聯電這對當事人之間解決，不應該由案外第三人晉華來承擔負面後果。在整個事件中，即便要找責任承擔者，也應該是聯電，而不是晉華，晉華只不過找合作夥伴的時候遇人不淑，純屬躺著中槍。

正是因此，工信部部長苗圩在1月29日表示，去年10月份以後，美國商務部泛化了國家安全的概念，濫用出口管制措施，以所謂"可能使用了來自美國的技術，威脅到了美國的軍事系統基本供應商的長期生存能力"為由，用"可能使用了"、"可能威脅到了"等理由，對福建一家還在建設過程當中、產品還沒有量產的企業實施了出口管制，"我們認為是站不住腳的"。

技術依賴聯電 研發中心設在境外成為敗筆

目前，長江存儲、福建晉華、合肥長鑫是中國存儲晶元的三駕馬車。其中，以長江存儲的表現最好。此前，紫光集團董事長趙偉國就表示，2019年量產64層128Gb的3D NAND，並同步研發128層256Gb的3D NAND。

紫光之所以能夠做的比較好，就是因為從一開始就堅持走自主技術的路線，一方面整合了國內武漢新芯和西安華芯這些有一定基礎的內資企業，同時大肆從海外挖人，比如高薪聘請了在中國台灣有"存儲教父"之稱的高啟全。在整合海內外力量之後，形成了自己的研發能力和研發隊伍，因而可以避開海外大廠的專利。

此外，長江存儲還依靠自己的力量研發出了64層的3D NAND得益於Xtacking技術。這項技術可以使產品開發時間縮短三個月，生產周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統3D NAND擁有更高的存儲密度。這使得紫光的64層的3D NAND性能可以接近國際大廠的96層3D NAND。

這與晉華在技術上高度依賴聯電形成鮮明對比——在晉華被制裁之後，聯電馬上撤出了上百名技術骨幹，直接導致晉華研發工資停擺。

把研發中心設置在境外，也是晉華的一大敗筆。因為如果把研發中心放在中國大陸，那麼，國外大廠要調查取證會比較麻煩，而晉華和聯電合作的研發中心恰恰設在台灣地區的南科廠區，這讓鎂光很容易狙擊聯電和晉華。

既然如此，那麼為何當初晉華和聯電不把研發中心放在境內？

首先，台商不願意。一直以來，台商在與大陸廠商技術合作中都是非常保守的，在技術上可謂嚴防死守。

其次，研發中心放台灣也更省錢。因為辦公大樓、研發設備、研發人員全部遷移到中國大陸，是一筆不小的開支，特別是如今中國大陸一線大城市房價、地價節節、生活成本攀升的情況下，研發中心放在中國大陸，成本優勢已經沒有了，反而還要額外支付一比搬遷費用。

而在整個過程中，晉華是純資本，缺乏一個有經驗的技術團隊，因而即便資料全部給過來，晉華也消化不了，因而聯電才是項目研發的實際主導者，話語權掌握在聯電手裡，對於聯電來說，無論從經濟性，還是從技術保密性的角度看，放在台灣地區的南科廠區，顯然對自己更有利。

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