淘汰內存＋快閃記憶體！Intel MRAM已可量產：200℃高溫能用10年

多年來，半導體行業的標準存儲格局一直是DRAM內存＋HDD機械硬碟/SSD固態硬碟，不過各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案，比如Intel的傲騰，就致力於消弭內存與硬碟之間的鴻溝。

還有一種方案就是MRAM(磁阻式隨機訪問內存)，Intel、IBM、三星、海力士、東芝、TDK等大廠和一些創業企業都研究了好多年。現在，Intel宣布他們的MRAM已經準備好大規模量產了！

MRAM存儲技術和NAND快閃記憶體類似是非易失性的，也就是斷電後不會丟失數據，而寫入速度可以達到NAND快閃記憶體的數千倍，建立時間(settling time)可以達到1納秒，比目前DRAM內存的理論限制還要好，等於綜合了RAM內存、NAND快閃記憶體的優點，可以兼做內存和硬碟。

同時很關鍵的是，它對製造工藝要求低，而且在傳統DRAM工藝升級越來越難的情況下，MRAM卻可以更輕鬆地更新，良品率也高得多，意味著成本可以得到更有效地控制。

Intel即將量產的MRAM就採用了很成熟的22nm FFL FinFET製造工藝，良品率居然超過了99.998％！對於一種很全新存儲技術來說相當不可思議。

只有為何不用更新的14nm，可能是MRAM目前對新工藝不敏感，也可能是Intel 14nm工藝現在產能太緊張了，騰不出手來。

按照Intel給出的技術規格，這種MRAM的每個存儲單元的面積為0.0486平方微米、容量7Mb，讀取時間0.9V電壓下4納秒、0.8V電壓下8納秒，寫入時間-40℃下也有10微秒，寫入壽命不低於一百萬。

壽命那是相當的長，標準耐受溫度範圍-40℃到125℃，而Intel工程師強調，即便放置在200℃高溫下數據完整性也能保持10年之久。

至於具體什麼時間投入規模量產，用於何種產品之上，Intel尚未給出更詳細的說明。

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