SK海力士公布DDR5內存 三星則以LPDDR5反擊

移動產品使用的LPDDR內存標準在昨天正式公布，不過JEDEC依然未能完成原定於去年完成的DDR5內存標準的制定，預計DDR5內存等相關產品會在年底出現。不過可以肯定的是，DDR5內存能夠提供比DDR4高一倍的帶寬密度以及更高的通道效率。

雖然標準還沒有完全確定，但是DRAM內存製造大廠三星、SK海力士之間早就開始角力。在舊金山舉辦的國際固態電路會議(ISSCC)上，SK海力士首次詳細介紹了自家基於DDR5規範的同步DRAM晶元。韓國的競爭對手三星則在同一會議上，描述了基於低功耗LPDDR5規範的DSRAM作為反擊。

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在周三的國際固態電路會議上，海力士晶元設計師Dongkyun Kim發表了自家首款DDR5晶元的報告。SK海力士的DDR5內存是一款16Gb@每引腳6.4Gbps的SDRAM，1.1V工作電壓 ;製造工藝節點為1y納米，基於四金屬DRAM工藝，封裝面積76.22平方毫米。

Dongkyun Kim還對延遲鎖定迴路的部分改動進行了深入講解，表示海力士藉助相位旋轉器和注入鎖定振蕩器，實現了對延遲鎖定環(DLL)的修改。以減少在較高時鐘速度下，操作相關的時鐘抖動和占空比失真。他同時還描述海力士設計團隊使用其它技術，包括用於抵消與更高速度相關的時鐘域問題的寫入等級訓練方法，以及改進的前向反饋均衡(FFE)電路。

老對手三星公司描述了帶來一款10nm工藝的LPDDR5 SDRAM，在1.05V的電壓下可以擁有7.5 Gb/s的速率。

在LPDDR5內存的推動下，未來的智能手機、平板電腦以及超極本等場景的內存速度和效率將會得到大幅提高。此外，Objective Analysis首席分析師Jim Handy披露了三星LPDDR5新品的更多技術細節。

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