速度翻2倍為5G手機鋪路 西數發布UFS3.0存儲晶元

從2017年UFS2.1普及到如今已經有兩年了，一年前JEDEC（固態技術協會）正式公布了UFS3.0的技術標準：單通道可以達到11.6 Gbps，是UFS 2.1標準的兩倍。

而今年一月份，東芝宣布開始出貨UFS3.0產品，採用了96層3D NADA，並提供了256Gb和512Gb單顆Die容量。今天在MWC19展會現場，Western Digital（西部數據）宣布將推出最大容量為512Gb的UFS3.0晶元，同樣採用了96層的3D TLC NADA。

西部數據的UFS3.0晶元

西數最新的3D NAND存儲器還支持其專有的iNAND SmartSLC Gen 6技術，該技術能最大限度地提高順序寫入速度。其實也就是用TLC模擬SLC緩存，與目前m.2固態晶元類似。

其實就是TLC模擬SLC

使用該技術後，連續寫入速度這可以高達750MB/s，更高的持續寫入速度能幫助5G時代的設備最大化的利用高速的網路帶寬。

其他功能上，Western Digital的EFD支持UFS 3.0錯誤歷史記錄，可以進行固件熱升級。

目前，Western Digital計劃提供64 GB，128 GB，256 GB和512 GB四種存儲大小的UFS3.0晶元，並全部使用行業標準的11.5×13×1 mm封裝。估計再過半年，我們就能看到有設備使用UFS3.0晶元了。

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