東芝和西部數據現正研發128層3D NAND

IT之家3月7日消息 根據外媒的報道，東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND快閃記憶體。在東芝的命名法中，該晶元將命名為BiCS-5。

據介紹，晶元將實現TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND快閃記憶體製造商仍然對QLC晶元的低產量有擔心。該晶元的數據密度為512 Gb，新的128層晶元的容量比96層晶元多33％，可以在2020到2021年實現商業化生產。

據報道，新晶元每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據報道，該晶元還採用了CuA（陣列電路），這是一種設計創新，節省了15％的晶元尺寸。

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