三星宣布量產eMRAM存儲器：年底流片1Gb晶元

在2018年，DRAM內存和NAND快閃記憶體都出現了降價的情況，其中NAND快閃記憶體更是以50%的速度暴跌，DRAM雖然u 度沒那麼大，但是加持也持續鬆動下滑。但DRAM內存和NAND快閃記憶體更壞的消息已經到來。

英特爾在不久前宣布準備大規模量產MRAM(磁阻式隨機訪問內存)，MRAM是一種既擁有RAM內存讀寫速度、能夠與NAND快閃記憶體一樣具有非易失性的新型存儲介質，斷電不會出現丟失數據，而寫入速度是快閃記憶體的數千倍，不僅可以用來當作內存，也能作為硬碟使用，這種新型存儲產品有望讓電腦實現「秒開」。

三星電子近日又宣布將商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存)，並計劃年內流片1Gb(128MB)容量的eMRAM晶元。新eMRAM可廣泛應用於MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智慧領域。由於eMRAM不需要在寫入數據前進行擦除循環，所以eMRAM寫入速度大約是eFlash的一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態下完全不耗電。

三星eMRAM採用「老舊」的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)工藝，28nm FD-SOI工藝製造的eMRAM可以帶來更低的能耗和更高的速度。採用28nm工藝量產成功eMRAM，進一步證明其已克服eMRAM量產的技術難題，加上eMRAM對製造工藝要求相對較低，所以良品率也更優秀，可以更好的控制成本，產品價格不會太高。

三星同時指出，基於放電存儲操作的eFlash(嵌入式快閃記憶體)已經越來越難進步，從SLC、MLC、TLC到QLC、OLC密度越來越高，但是產品壽命卻變得越來越短，廠商不得不通過主控和演算法進行複雜的補償，確保產品的穩定性。但eMRAM則是eFlash產品的極佳替代者，因為磁阻存儲的擴展性非常好，而且在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面同樣遠勝傳統RAM產品。

另外，eMRAM只需增加少數幾個層就能夠輕鬆的嵌入工藝後端，所以對前端工藝要求非常低，能夠輕鬆利用現有的工藝生產線進行製造，包括Bulk、Fin、FD-SOI晶體管。

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