基於FD-SOI工藝，三星開始大規模量產28nm的eMRAM

來源：內容來自「快閃記憶體市場」，作者Helan，謝謝。

三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品，該產品基於28nm FD-SOI工藝技術，並計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM晶元。

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，除了MRAM，還有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存儲器，能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等，提升數據保存的能力。

嵌入式存儲器的電荷存儲中面臨可擴展性挑戰，三星克服技術障礙，並將製程節點發展到28nm，不僅用更低的成本提供更優的功率和速度優勢，還具有非易失性、隨機存取和強耐久性的特徵，是可期的持續性發展的產品，未來將有望取代DRAM和NOR Flash技術。

由於MRAM在寫入數據之前不需要擦除，因此寫入速度大約比EFlash快1000倍。此外，EMRAM使用的電壓比EFlash低，並且在斷電模式下不消耗電力，從而提高了功率效率。另外，由於EMRAM模塊可以與現有的邏輯技術（如Bulk、Fin和FD-SOI晶體管）輕鬆集成，可以節省成本。

三星代工市場副總裁Ryan Lee表示：「在克服新材料的複雜挑戰後，我們推出了嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術，並通過EMRAM與現有成熟的邏輯技術相結合，三星將繼續擴大新興的非易失存儲器(eNVM)工藝產品組合，以提供獨特的競爭優勢和卓越的可生產性，以滿足客戶和市場需求。」

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