三星推全球首款商用eMRAM，比目前的存儲器速度快1000倍

三星在3月7日正式宣布，旗下半導體工廠已經成功的量產出了全球首款商用eMRAM，即嵌入式磁隨機存取存儲器，採用三星自家的28FDS工藝打造。

在目前常用的eFlash快閃記憶體技術發展到了瓶頸之後，eMRAM通過電阻來進行存儲，在隨機訪問、非易失性等方面有更大的優勢。

在宣布量產eMRAM時，三星也宣布其28FDS工藝打造的eMRAM有著更低的成本和更低的功耗。由於eMRAM在寫入前不需要擦除周期，所以相比目前的eFlash速度要快1000倍。

除了三星，傳統的存儲器大廠英特爾此前也宣布他們已經做好了eMRAM晶元大批量生產的準備。三星最晚將會在今年下半年推出一款1GB的eMRAM測試晶元，而英特爾也將會緊隨三星之後，推出旗下的商用eMRAM存儲晶元。

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