新突破！西數和東芝開發出128層512Gb 3D TLC

來源：內容來自「快閃記憶體市場」，作者Helan，謝謝。

日前，Blocks＆Files新聞報道稱，西部數據和東芝已開發出128層512Gb 3D TLC NAND裸片，是東芝下一代3D NAND技術，被命名為BiCS5，目前的最新技術是BiCS4，是96層3D TLC，BiCS3為64層。

Wells Fargo高級分析師Aaron Rakers建立了一個生產模型，假設尺寸為66mm2，密度7.8Gb / mm2 。他認為東芝和西部數據將具有業界最高的NAND Flash密度。

對於3D NAND技術的發展速度，業內人士感到震驚！但是128層產品上市的速度不會那麼快，預計未來2年內不會出現真正意義上的128層產品。

128層相較於目前最新的96層在層數上再增加33%，將具有更大的容量和更低的成本。若要實現128層3D NAND的量產，以及在市場上普及，卻要花費1 -2年的時間，預計在2020年底才會實現量產，2021年產量逐步增加。

128層技術的發展可能會跟96層一樣，甚至需要花費更長的時間。因為隨著3D NAND堆疊層數越來越多，會使生產周期延長，而且初期良率也不佳。據悉，東芝和西部數據早在2017年6月宣布成功研發出96層3D NAND，但2018年9月才量產，時隔1年多的時間，因此2年內不會看到真正意義上的128層產品。

除了東芝和西部數據，三星也正在積極投入128層3D NAND的研發，這對於美光/英特爾、SK海力士、長江存儲等同行競爭對手而言是不小的壓力，尤其是長江存儲。

繼32層3D NAND在2018年投入量產後，長江存儲基於Xtacking架構的64層NAND樣品也已經送至合作夥伴，並計劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進入128層堆疊。長江存儲是打算在128層發力，快速縮短與三星、東芝等國際大廠之間的技術差距。

2019年初三星、東芝、美光基於96層3D NAND已推出了UFS、SSD、MicroSD等新品，但實際供貨給客戶的可能暫時只有東芝一家，所以市面上主流供貨的仍是64層/72層3D NAND。不過，未來的一年內里，各家原廠會將重點放在提高96層3D NAND產量上，預計到年底才會成為主流技術，2020年實現在市場上的廣泛普及。

三星、東芝/西部數據推進128層3D NAND技術發展，說明下一代技術已列入了部分原廠技術發展的進程表，長江存儲作為國內專註於3D NAND技術研發的企業，面對國際大廠之間越來越激烈的競爭，更要加快步伐。

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