三星公布HBM2E顯存：64G容量加1.64T帶寬

從2015年AMD的Fury X快開始，HBM顯存逐漸出現在消費級市場上;隨著AMD在2017年發布VEGA 56和VEGA 64，宣告HBM顯存進入 第二代。NVIDIA在2018年帶來搭載HBM2顯存的Volta架構。

最為全球最大的存儲產品供應商，三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這也是業界最早符合HBM2E規範的存儲產品。三星將Flashbolt KGSD定位瞄準下一代數據中心、HPC、AI/ML和圖形應用程序。NVIDIA廣受歡迎的GV100圖形處理器就是三星HBM2顯存的用戶之一。

根據三星官方的公布數據，新Flashbolt存儲器堆棧將提高33%性能，並為每個晶元提供雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。

三星的Flashbolt KGSD基於八個16-Gb存儲器晶元，使用TSV(通過硅通孔)技術以8-Hi堆棧配置互連，每個Flashbolt封裝都具備1024位匯流排，每個引腳的數據傳輸速率為3.2 Gbps，讓每KGSD高擁有410GB/s的帶寬。

三星Flashbolt KGSD在擁有4096位寬的存儲器介面上，通過四個Flashbolt堆棧的方式，讓開發人員獲得64GB顯存、最高1.64TB/s峰值帶寬，大容量和高帶寬是這款晶元的優勢，也能更好的處理各種實用需求。如果使用兩個Flashbolt KGSD的話，最高可獲得32GB顯存、峰值帶寬為820GB/s。

三星表示已經完成了Flashbolt HBM2E顯存的技術開發，單目前尚未開始批量生產。

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