三星電子第三代10納米級DRAM開發成功

科技 03-22

三星電子於21日發表，成功開發出第三代10納米級（1z）8Gb DDR4 DRAM，預計下半年量產。

文｜西卡

校對｜團團

圖源｜集微網

芯科技消息，三星電子於21日發表，成功開發出第三代10納米級（1z）8Gb DDR4 DRAM，預計下半年量產。

據《ZDNet Korea》報導，三星電子錶示，在二代10納米級（1y）DRAM量產後，相隔16個月成功開發出10納米級（1z）DRAM，並成功克服史上細微工藝的極限。

特別的是，10納米級（1z）DRAM的開發過程中，三星電子並沒有使用每台價值1千億韓元以上的極紫外線（EUV）裝備，這也證明三星電子擁有優秀的工藝技術，與現有的10納米級（1y）DRAM相比，10納米級（1z）DRAM的生產效率提高20％以上。EUV（Extreme Ultraviolet的略稱）是在半導體上繪製電路時所需的微影技術，能協助製造商發展更精細的製程。

三星電子計劃在下半年量產10納米級（1z）DRAM，並在明年進一步供應全新一代DRAM（DDR5、LDDDR5等），並採取積極與大企業合作，通過合力開發新系統的方式，加快全球市場換新設備。

DRAM能應用於智能手機、桌電、筆電、伺服器以及電視等多元設備上，是一種存儲器半導體。DRAM晶元上能儲存、控制數億的存儲單元（cell），8Gb代表著能控制80億以上的存儲單元。DDR則指數據處理速度，根據DRAM處理速度分級，DDR後面的數字越大，就代表處理速度越快。

納米級則是代表鐳射於DRAM晶元的電路大小，納米級水平中還有再分階段，從x的後段製程，發展至中段y製程，再來發展至前段的z製程。這次開發成功的10納米級（1z）就是指10納米工藝接近前段水平。

此次發表的10納米（1z）DRAM 計算機用DDR4模塊，已經獲得獲得全球PC廠商的評估認證，預計能正式擴大全球客戶需求。

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