三星完成第三代10納米超高性能和高功效DRAM研發

三星在2017、2018成為全球最大的半導體製造商，主要得益於急速擴張的DRAM內存和NAND Flash快閃記憶體市場。

三星電子(Samsung Electronics)公開業界首款第三代10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器)。三星計劃在今年下半年開始批量生產，以適應下一代企業伺服器和2020年推出的高端PC。

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三星已經在第二代8GB DDR4上採用10nm工藝，只是其需要藉助極紫外光刻機(Extreme Ultra-Violet)進行輔助生產。在16個月後，，三星電子研發出不使用極紫外線光刻機即可生產的10納米級(1z-nm)8GB第三代DDR4，這將改變三星在DRAM存儲的擴展極限。

三星在開發完成10納米級(1z-nm)DRAM後，將加快向下一代DRAM介面(DDR5、LPDDR5和GDDR6)過渡，為後續產品量產打下基礎。更高性能的和更大容量的10納米級(1z-nm)產品，將增強三星的市場競爭力，鞏固其在高端DRAM市場地位，包括伺服器、圖形和移動設備等領域。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁李榮培(Jung Bae Lee)表示：「我們致力於突破技術領域的最大挑戰，推動實現更大的創新。很高興能再次為下一代DRAM的穩定生產奠定基礎，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出10納米級(1z-nm)的DRAM系列產品，三星將繼續致力於支持其全球客戶部署尖端系統，並推動高端內存市場的增長。」

三星在完成與一家CPU製造商對於8GB DDR4模塊的全面驗證後，將積極與全球客戶合作，向其提供一系列即將面世的內存解決方案。為了滿足目前的行業需求，三星計劃在其Pyeongtaek網站增加主要內存生產的比重，同時與全球IT客戶合作，以滿足市場對最先進DRAM產品日益增長的需求。

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