台積電完成5nm基礎設施設計:邏輯密度為7nm 1.8倍
科技
04-06
IT之家4月6日消息 根據外媒的報道,台積電宣布他們已經完成了5納米工藝的基礎設施設計,進一步晶體管密度和性能。台積電的5納米工藝將再次採用EUV技術,從而提高產量和性能。
根據台積電的說法,5納米工藝比其7納米工藝提升很大,以Arm Cortex-A72內核為例,工藝改進使得邏輯密度提高1.8倍,時鐘速度增加15%,SRAM和模擬電路面積減少,這意味著每個晶圓的晶元數量更多。該工藝適用於移動,互聯網和高性能計算應用程序。台積電還為硅設計流程方案提供在線工具,這些方案針對5 nm工藝進行了優化。據報道,台積電現已開始風險生產。
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