當前位置:
首頁 > 科技 > 台積電完成5nm基礎設施設計:邏輯密度為7nm 1.8倍

台積電完成5nm基礎設施設計:邏輯密度為7nm 1.8倍

IT之家4月6日消息 根據外媒的報道,台積電宣布他們已經完成了5納米工藝的基礎設施設計,進一步晶體管密度和性能。台積電的5納米工藝將再次採用EUV技術,從而提高產量和性能。

根據台積電的說法,5納米工藝比其7納米工藝提升很大,以Arm Cortex-A72內核為例,工藝改進使得邏輯密度提高1.8倍,時鐘速度增加15%,SRAM和模擬電路面積減少,這意味著每個晶圓的晶元數量更多。該工藝適用於移動,互聯網和高性能計算應用程序。台積電還為硅設計流程方案提供在線工具,這些方案針對5 nm工藝進行了優化。據報道,台積電現已開始風險生產。


喜歡這篇文章嗎?立刻分享出去讓更多人知道吧!

本站內容充實豐富,博大精深,小編精選每日熱門資訊,隨時更新,點擊「搶先收到最新資訊」瀏覽吧!


請您繼續閱讀更多來自 IT之家 的精彩文章:

ofo否認破產:運營正常,債務在訴訟或協商
《精靈寶可夢》推出聯名首飾

TAG:IT之家 |