彌補手機最後一塊短!UFS3.0快閃記憶體到底有多強?
這兩天的手機圈都被三星Galaxy Fold刷屏了,作為第一款可量產上市的摺疊屏手機,Galaxy Fold的強悍毋庸置疑,4.6英寸 7.3英寸內外雙屏、驍龍855移動平台、前後6顆攝像頭,除了價格昂貴以外絕對爽口。
實際上,三星Galaxy Fold還有一項容易被我們忽視的賣點,那就是全球首發UFS3.0快閃記憶體晶元。
在手機領域,雖然SoC越來越強,內存和存儲空間越來越大,攝像頭都能拍月亮了,但就存儲性能而言,其卻始終是綜合表現的最大短板。
目前手機圈流行的快閃記憶體主要以eMMC5.1、UFS2.1單通道,以及UFS2.1雙通道為主,我們可以通過AndroBench和魯大師對其性能一下跑分對比。
eMMC5.1的性能最低,它經常與驍龍4系、驍龍6系、驍龍7系、麒麟6系、麒麟7系、聯發科Helio P系列搭配,主要定位在2000元價位以內的主流市場。其在AndroBench中的持續讀寫速度分別為281MB/s和214MB/s。
eMMC5.1快閃記憶體性能
UFS2.1根據通道數量的不同,性能存在很大的差距。其中,單通道UFS2.1主要和驍龍7繫結合,定位中高端,在AndroBench中的持續讀寫速度分別為500MB/s和201MB/s。
UFS2.1單通道快閃記憶體性能
雙通道UFS2.1主要和驍龍8系、麒麟9繫結合,定位高端,在AndroBench中的持續讀寫速度分別為822MB/s和242MB/s。
UFS2.1雙通道快閃記憶體性能
作為最頂級的UFS3.0,在2019年Q1才剛剛量產,是驍龍855的夢幻裝備,在AndroBench中的持續讀寫速度可分別達到1507MB/s和396MB/s,較雙通道UFS2.1提升了80%以上!
UFS3.0快閃記憶體性能
UFS3.0快閃記憶體性能
細心的童鞋不難發現,貌似eMMC5.1h和UFS2.1在持續寫入速度上的差距不大,是不是代表它們寫入數據時的實際表現相近?答案自然是否定的,隨機讀寫(4K)性能才是和實際操作最密切相關的指標,eMMC5.1和UFS相比差的可不是一點半點。
魯大師
順序讀取
順序寫入
隨機讀取
隨機寫入
SQLite Insert
SQLite Update
SQLite Delete
匯總表格
總的來說,UFS3.0的綜合性能,特別是持續讀寫速度有著秒殺UFS2.1前輩的表現,只是在隨機讀寫和SQLite性能上,卻依舊和雙通道的UFS2.1持平,有些小遺憾。
最後,咱們再來科普一下eMMC和UFS快閃記憶體的基礎知識吧:
eMMC:
Embedded Multi Media Card,它是在NAND快閃記憶體晶元的基礎上,額外集成了主控制器,並將二者「打包」封裝封成一顆BGA晶元,從而減少了對PCB主板的空間佔用,也是移動設備中普及度最高的存儲單元。eMMC的性能會隨著匯流排介面的升級而提升,而目前最新的標準就是eMMC 5.1。
UFS:
Univeral Flash Storage,我們可以將它視為eMMC的進階版,是由多個快閃記憶體晶元、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行(讀寫必須分開執行)的缺陷,可以實現全雙工運行,所以性能得以翻番。
UFS2.x
UFS早前被細分為UFS 2.0和UFS 2.1,它們在讀寫速度上的強制標準都為HS-G2(High speed GEAR2),可選HS-G3標準。而兩套標準又都能運行在1Lane(單通道)或2Lane(雙通道)模式上,一款手機能取得多少讀寫速度,就取決於UFS快閃記憶體標準和通道數,以及處理器對UFS快閃記憶體的匯流排介面支持情況。
UFS3.0
UFS 3.0引入了HS-G4規範,單通道帶寬提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。而由於UFS支持雙通道雙向讀寫,所以UFS 3.0的介面帶寬最高可達23.2Gbps,也就是2.9GB/s。此外,UFS 3.0支持的分區增多(UFS 2.1是8個),糾錯性能提升且支持最新的NAND Flash快閃記憶體介質。
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