吸取當年10nm跳票的教訓，英特爾承諾2021年推出7nm產品

5月9日消息，據權威媒體Anandtech報道，在美國當地8日舉辦的英特爾投資日上，英特爾首席執行官鮑勃·斯旺和總裁穆爾西·德奇塔拉談到了10nm晶元跳票的理由還有英特爾的晶元開發路線圖，並承諾2021年推出7nm產品。

兩位英特爾高管稱，在2013年的時候英特爾就設想通過提供2.7倍密度的自對準四軸圖形(SAQP)、有源柵極上接觸(COAG)、Cobolt互連以及EMIB和Foveros等新封裝技術，利用10nm晶元取代14nm晶元。但是當時公司並沒有與相關團隊明確目標，而且管理出了問題，最終導致10nm產品的推出被延遲。英特爾總結了在此前間的問題並且吸取了教訓。

英特爾表示，10nm產品系列將在今年年中開始上市，客戶端平台（筆記本電腦）將配置Ice Lake。不僅如此，英特爾還將在2019年和2020年推出多種10nm產品，包括在2020上半年推出基於10nm的伺服器。此外，英特爾表示將在2021年生產並推出一款7nm產品。

考慮到這個時間表對於目前的英特爾來說或許會非常激進，因為英特爾此前連開發10nm產品都出現了問題，英特爾決定將從14nm和10nm產品中吸取教訓，最終開發出7nm產品。

本文編輯：姜永傑

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