3D快閃記憶體比較高級？為什麼固態硬碟都把他當賣點

有朋友問存儲極客，3D快閃記憶體是不是比較「高級」？為什麼翻開幾乎每個固態硬碟的宣傳頁，你都能看到關於3D快閃記憶體的介紹？今天存儲極客就為大家解答這些問題。

東芝在2007年提出了3D快閃記憶體，並在後來將其命名為BiCS快閃記憶體。實際上關於3D快閃記憶體，三星也有自己的叫法：V-NAND，另外兩家快閃記憶體原廠美光和Hynix則比較不講究，沒有為自己的3D快閃記憶體單獨命名。

不同廠商3D快閃記憶體擁有自己的發展代系，比如三星目前發展到了第五代V-NAND，而東芝已經量產的是BiCS4：雖然4比5小，但二者皆為9X層3D堆疊技術，屬於同代工藝。東芝的BiCS4甚至還要在具體堆疊層數（96層）上比三星（92層）更高一些，並且BiCS4的單die容量512Gb也比三星的256Gb高出一倍。

3D快閃記憶體降低每GB容量成本

如果從這項技術的出發點來看，它的出現一點也不高級：為了降低成本。半導體製造最直接的成本就是晶圓成本，目標是在同等大小的晶圓上製作出更多的晶元出來。

過去平面快閃記憶體通過製程微縮來達到這個目的，但後來人們發現平面快閃記憶體無法再縮小半間距了：電子數量同步縮減導致它無法穩定地存儲數據。

既然半間距無法縮小，東芝設想出了將快閃記憶體單元改為立體堆疊結構，這樣在同等晶圓面積上就能提供更高的存儲容量，於是就有了BiCS 3D快閃記憶體。

到現在為止，3D快閃記憶體已經成為快閃記憶體中的主流形態。像TR200這樣的入門級SATA固態硬碟也享受到了3D快閃記憶體帶來的容量增長紅利。觀察TR200 480GB的京東價格歷史你還會發現，現在相比一年前的價格足足降低了一半。

3D快閃記憶體讓硬碟更緊湊

當前主流的64層3D快閃記憶體不僅在堆疊層數上增長，還通過改進蝕刻工藝將3D NAND器件中的字線「階梯」部分的寬度縮小了45%，由此得到了更高的快閃記憶體陣列效率。

製造出的3D快閃記憶體晶元再通過疊die的方式，可將多個晶元集中封裝為一個顆粒，再同等空間內實現更高的存儲容量。

除了智能手機能之外，以東芝RC100為代表的單晶元迷你NVMe固態硬碟也從增長的存儲密度當中受益，融合了主控和快閃記憶體的單個顆粒內就能提供高達480GB的存儲空間。

總結來說，3D快閃記憶體的出現一方面降低了每GB容量價格，另一方面又給更高的存儲容量帶來了可能。正是這些優勢使得3D快閃記憶體在固態硬碟中快速得到了普及。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！