日韓中的半導體「三國殺」

目前國內半導體行業在晶圓代工、設備、設計、存儲器和材料等方面與國際差距較大，都需要大規模的資本研發投入。

而"華為事件"長期來看可能會加快國產化進程，促使政府加大扶持力度，為國產半導體企業加速發展提供窗口性機遇。

攸關國運，半導體行業經歷了怎樣的變革、曾經日韓是如何殺出重圍、中國半導體何以在未來真正崛起？借這篇舊文，雲鋒金融與您共探。

日本起

1963年，日本的集成電路產業似乎走到了一個死胡同。

在此之前的十年，由於美國"援日抗蘇"的大方針，日本坐收漁翁之利，以極低廉的價格獲得了美方大量先進技術的授權。日本的電子產業越過了軍用，直接在民用領域飛速發展。

日本政府在上世紀五十年代做了兩件事，一個是在通商產業省（相當於中國的工信部）底下設立了工業技術院，完全由財政撥付經費，負責推動日本整體產業技術的發展；另一個是頒布了電子工業振興臨時措置法(電振法57-71年)，限制外資進入日本，以保護本國市場，同時引導日本企業向電子行業進軍。

其實那時候日本的晶體管產業已經發展的相當紅火。1953年，SONY（當時還叫日本東京通信工業株式會社）的創始人盛田昭夫耗資2.5萬美元從美國西屋電氣引進了晶體管技術後，用了三年時間研發推出了袖珍收音機。

這個很能體現日本人心思的產品一炮走紅，晶體管也找到了一個絕佳的商業用途。

東京通信工業株式會社（SONY前身）推出的第一款袖珍晶體管收音機TR-55，圖片來源：搜狐新聞

在此之後，隨著規模化生產，日本的晶體管價格明顯下降。1953年SONY試製晶體管時一顆還要11美元，到1958年已經降到0.5美元。到了1959年，包括SONY、NEC、三洋、東芝在內的日本企業一年生產了8650萬顆晶體管，這一規模已經超過了技術的發源地美國。

為什麼日本的晶體管產業可以發展的這麼快？說來是一個中國人都很熟悉的原因。

當時的日本和美國相比，最大的優勢就是人工便宜——東京電子廠的日本工人月薪還不到30美元，而美國技術工人一個月要拿380美元。

不過這時候的美國並不在乎誰生產的規模大，因為它正處於產業技術日新月異的突破期。

1959年2月，美國德州儀器（TI）的工程師傑克基爾比製作了世界上第一塊集成電路，他也因此在2000年獲得了諾貝爾物理學獎。以西屋電氣(Westing house)為代表的美國企業向世界宣布："晶體管時代已經過去，以集成電路為代表的半導體技術才是未來的主流。"

因此，雖然晶體管的產業規模做到了世界第一，雖然在政府部門的技術援助下，日本NEC公司也在1958年推出了第一台完全國產化的晶體管計算機NEAC-2201，但當日本政府驕傲的把它運到巴黎萬國博覽會上進行展出時，卻發現這個產品已經out了。

這讓日本人受到了很大的刺激。之前政府還只是提供技術援助，研發主要依靠企業，而在此之後就迅速升級為"官產學"三位一體進行技術攻關。

舉個例子，通產省工業技術院的電氣試驗所在1960年底利用逆向工程的方式研發出日本第一塊晶體管集成電路後，東京大學工學部的教授們旋即與NEC公司展開合作，對晶體管集成電路進行基礎性的研究。

參與研製晶體管集成電路的日本通產省工業技術院電氣試驗所骨幹成員，左起，傳田精一(研究員，東北大學工學博士)、垂井康夫(半導體部晶體管研究室主任)、井上ルミ子、鳴神長昭。圖片來源：新浪博客

然而日本的科學家們很快就發現，逆向工程可以幫助實驗室研發一塊集成電路，卻無法幫助工廠批量生產。工藝技術，從那時起就是橫亘在半導體實驗室和工廠之間的一道天塹。

不過在當年，解決日本人難題的辦法正好掌握在美國人手中。美國著名的仙童半導體已經有了一套成型的"平面技術"生產工藝，可以幫助實現硅晶體管的批量生產。

更妙的是，1962年仙童公司決定以收取技術授權費的方式向其他企業傳播這一製造工藝——已經苦苦等待好幾年的日本NEC公司立馬把錢拍在了仙童CEO的桌子上。

解決工藝問題後，日本NEC的集成電路產量暴增。1961年只有50塊，1962年增長至1.18萬塊，1965年達到5萬塊。到1970年，日本NEC的集成電路產量已經達到3998萬塊。

不過，NEC取得這一技術授權之後並沒能獨享，日本政府要求它將其開放給日本的其他企業。儘管NEC有一百個不情願，但由於自己的技術研發還要仰仗政府的投入，因此也只能遵命行事。三菱、京都電氣等公司趁此機會快速切入，日本的半導體產業正式起航。

承

在半導體產業啟程之後，日本政府又做了兩件事情：

第一個是"明目張胆"的貿易保護。60年代初，德州儀器看到日本電子產業的蓬勃發展，想要設立獨資子公司分一杯羹，卻在日本政府那裡吃了閉門羹。經過四年的軟磨硬泡，通產省終於鬆了口，卻提出了極為苛刻的條件——拿核心技術來換市場。

這個換，和改革開放後中國的"拿市場換技術"形同而神不同。

日本政府要求德州儀器先和索尼設立股權對半分的合資公司——凡是德州儀器獨資子公司銷售的產品，在合資公司里也必須有。其次，要在三年內向日方公開與產品相關的所有技術專利。最後，德州儀器獨資公司的產品在日本市場的佔有率不得高於10%。

三管齊下，通產省為了拿到技術的同時保護日本市場，可以說是相當處心積慮了。

這僅僅是當年日本政府保護本土電子產業的一個縮影。為了防止美國企業的衝擊，通產省還只允許極少數的電子元器件進口，而對200日元以下的中低端晶元元件進口設立了很高的關稅，甚至採取了進口許可證政策。

第二個是"深謀遠慮"的政府主導。70年代的日本半導體產業遭遇了兩個重大事件的衝擊：一個是在美國的政治壓力下，1974年日本被迫放寬了計算機和電子元件的進口限制。當時在技術上有著碾壓優勢的"藍色巨人"IBM公司如入無人之地，橫掃日本各大企業，僅僅用了一年時間就佔領了日本計算機市場40%的份額。

另一件事也和IBM公司有關，其內部的"Future System計劃"文件曝光，透露出IBM要在1980年之前開發出1M的DRAM內存晶元用於下一代電腦。要知道，當時日本企業還停留在1K DRAM的技術層次，這之間的差距不是十倍，也不是一百倍，而是1024倍。

日本人再次被深深的刺激了。為了應對衝擊，日本政府在1976到1979年期間組織了一場奠定之後在半導體領域地位的關鍵行動——超大規模集成電路的共同組合技術創新行動，簡稱VLSI項目。

1977年5月5日，日本VLSI技術研究所宣布研製成功可變尺寸矩形電子束掃描裝置。圖片來源：新浪博客

這一項目以通產省提出的"下世代電子計算機用超LSI研究開發計畫"為中心，以富士通、日立、三菱、日本電氣、東芝五大公司為骨幹，聯合日本工業技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所組成"超LSI研究開發政策委員會"，投資規模超過720億日元（約合2.4億美金）。

這個金額有多大？作為比較，當年中國的外匯儲備總量只有1.8億美金。

VLSI項目成為日本"官產學"一體化的集大成者。它將五家平時互相競爭的計算機公司以及政府和高等院校的研究人才組織到了一起。從管理架構上來看，日立公司社長吉山博吉擔任理事長，通產省的根橋正人負責業務領導，來自東京工業大學的垂井康夫則擔任研究所長。這意味著平時在技術研發上相互提防的企業有了充分交流的渠道，而學術研究和商業應用之間的轉換通道也變得更加通暢。

1980年，日本宣布為期四年的"VLSI"項目順利完成，期間申請實用新型專利1210件，商業專利347件。更重要的是，到了64K DRAM大規模集成電路時代，富士通公司的研發進度開始與IBM、德州儀器等美國企業並駕齊驅，而到了256K DRAM時代，美國才剛研製出來，日本富士通和日立的產品已經量產上市。

靠著政府和產業界大規模的投入，日本一步步抹平了在半導體領域和美國的技術差距。

轉

上世紀80年代是日本在半導體行業的全盛時期。

一方面有成本和可靠性上的優勢，一方面有崛起的汽車和個人電腦行業做應用場景，日本企業開始進入投資-量產-再投資的良性循環，半導體對美國出口額從1979年的4400萬美元暴增至1984年的23億美元。

而反觀美國，由於在石油危機後經濟陷入停滯，企業主導的半導體領域投資逐漸減少，這成為在技術和工藝上被日本全面超越的關鍵原因。

莫斯泰克被收購，英特爾巨額虧損宣布退出DRAM領域，德州儀器也被富士通奪去了行業老大的位置。到了1989年，日本晶元在全球的市場佔有率已經達到53%，而美國僅剩37%。

1990年全球十大半導體企業，日本企業（灰色）佔據六席，資料來源：CNKI，雲鋒金融整理

不過成也蕭何敗也蕭何，日本半導體行業盛極而衰的轉折點同樣是因為投資。

由於之前的巨額資本開支，日本廠商在1985年之後有了海量產能，這讓當時商業應用還不夠多的晶元價格出現暴跌。日企將美國對手打趴下的同時，卻也"殺敵一千自損八百"，讓自己的盈利能力受到了巨大影響。

和之後韓國半導體產業的寡頭壟斷不同，日本的產業模式是由幾家巨頭齊頭並進，在盈利受損的情況下，出於股東權益的考慮，日企不得不減少了對半導體的技術設備投資。

1985年，日本砍掉近40%的設備更新投資和科技紅利投入。隨後兩年，日本企業的有效研發投入更是出現了接近80%的斷崖式下跌。

火上澆油的是，此時日本已經進入了全面泡沫時代，資金瘋狂湧入房地產和金融市場，不再青睞半導體這樣需要大量前期投資卻短時間看不到成效的實體產業。加上廣場協議之後日元迅速升值，半導體產品出口的競爭力受到了極大影響。

韓國的三星、現代、LG等廠商在此階段通過加大投資彎道超車，迅速趕超日本。1992年，三星將NEC擠下了DRAM產業世界第一的寶座，日本半導體產業的輝煌結束了。

合

在上世紀90年代以來半導體價格起起落落的周期中，日本企業一方面要消化"失去二十年"帶來的經濟衰退影響，一方面還要鼓起勇氣追加投資，以便和年輕氣盛的韓國三星，以及借CPU打了翻身仗的美國英特爾競爭，這成為了一個幾乎不可能完成的任務。

亞洲金融危機期間的行業衰退徹底打垮了日本的半導體企業。富士通在1999年宣布退出DRAM晶元市場，曾經獨霸天下的NEC、日立、三菱則將各自的DRAM部門合併成立爾必達(Elpida)。

然而爾必達從一出生便帶著滿身傷病，不但管理混亂、職位冗餘，甚至在工藝、設備等生產供應鏈上都沒有實現統一兼容，完全無法與集權式管理的三星競爭。

2012年2月，當爾必達向東京地方法院申請破產保護時，公司負債總額已高達4480億日元(約合89.6億美元)，是日本史上最大的破產案件。2012年7月，美國的鎂光（Micron）以區區25億美元的低價收購爾必達。

歷史就是這麼愛開玩笑，兜兜轉轉幾十年，最終日本DRAM產業的遺珠還是回到了美國人的手中。而日本的半導體產業，從此收縮到了上游的材料領域割據為王。

韓國

如果說日本半導體行業的崛起依靠的是初期從美國的技術引進加上政府"官產學"三位一體的規劃和投資能力，那麼韓國半導體產業的發展路徑更像是這個故事的加強版——更密集的技術援助，更"無賴"的政府保護和更強勢的企業投資。

"棋子"韓國

韓國半導體產業的起步比美日要晚上十幾年。

當美國和日本在上世紀六十年代初已經先後進入晶體管集成電路時代時，韓國的朴正熙剛剛通過軍事政變上台，整個國民經濟還處於崩潰的邊緣。

因此，和日本從一開始就採取嚴格的貿易保護政策呵護本土電子產業不同，韓國政府在發展伊始採取的是拿來主義——只要你願意給，不管什麼條件我都接受。

在這一階段，韓國政府不但放寬了《外國資本引進法》，還謀求加入《關貿總協定》。1966年，當年向日本授權平面技術生產工藝的美國半導體巨頭仙童公司向韓國政府提出了建廠要求。但仙童的條件十分苛刻，不但要求獨資經營，而且還要求政府允許獨資公司的產品在韓國市場銷售。儘管如此，韓國政府還是咬牙同意了。

有了這一先例，摩托羅拉、東芝等電子巨頭紛紛效仿，韓國的晶元組裝廠如雨後春筍般建立了起來。這些半導體跨國巨頭採取來料加工的模式，利用韓國的廉價勞動力組裝美國、日本的零部件再轉出口，從中賺取了不菲的利潤。

幾十年後，韓國巨頭們把同樣的模式用在了中國身上。海力士拿著韓國利川工廠淘汰下來的8寸晶圓設備，依靠中國的資金、土地、工人和市場，只用了3億美金就撬動了20億美元的投資，順利地在無錫建起了中國當時最大的晶圓廠。

由無錫市政府負責投資建設，耗資3億美金的海力士廠房，建好後再返租給韓國海力士使用，圖片來源：海力士官網

但當經濟逐漸企穩復甦後，韓國政府慢慢露出了"無賴"的一面。

1969年，當時還在經營紡織、化肥、製糖這些傳統產業的三星財團，在韓國貿工部支持下開始為日本三洋代工生產家電，包括12英寸黑白電視機、洗衣機、冰箱等，藉機進入了電子產業。

等到1974年三洋完成了對三星的技術轉移後，韓國政府立刻修改了外資的投資法規，不再對合資企業開放本國市場，從而迫使三洋等日資企業停止了在韓投資，全面退出韓國市場。

企業與企業，國家與國家之間的競爭從來就不是"潔白無瑕"的，法規既然由國家制定，就會以最符合當時國家利益的形式出現。

韓國人無疑深諳此道。

不過政府只能算是韓國企業進入電子行業的引路人，美國才是韓國半導體產業發展的貴人。

當年三星的太子李澤熙從美國回來後，花了十年時間試圖進軍DRAM行業，卻一直找不到法門。直到1983年，三星宣布在京畿道器興(Giheung)建立第一個半導體工廠，卻意外獲得了美國的支援。

原因很簡單。彼時，美國的半導體行業已經被日本同行打得潰不成軍，從政府到企業都急需一支外援來幫他們打一場漂亮的反擊戰。既有充足的意願和政府的支持，又有廉價勞動力的韓國企業就成了首選。

在美國的扶持下，韓國的半導體產業直接從16K DRAM起步，僅僅用了3年時間就一口氣掌握了16K到256K DRAM的關鍵技術。這一階段，美國對於韓國的援助規模超過了20億美金。

當然，拿到技術只是第一步，如何消化理解和再創造才是關鍵。這時，韓國人的民族自豪感開始起作用。

三星在矽谷設立的研發團隊專門招募韓裔的美國工程師，不少人在愛國情懷的感召下，放棄自己多年的事業，轉身回到韓國，夜以繼日地投入研發當中。其有一個叫陳大濟的年輕人謝絕了IBM公司的再三挽留，義無反顧地加入了三星，理由就是"真想贏日本一次"。這個年輕人後來成了三星電子的CEO。

在這樣一支戰鬥隊伍的配合下，三星僅用了一年時間就消化了64K DRAM技術並開始批量生產，而等到後來鎂光為了應對日本重壓，將256K DRAM技術也授權給韓國企業時，進入量產模式的時間又被壓縮了一半。

僅此一役，三星就將自己與美國日本的技術差距由4年縮短到了2年。

此時，韓國政府也全力配合，將日本"官產學"三位一體的研發模式有樣學樣，由韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯合三星、LG、現代與韓國六所大學，一起對4M DRAM進行技術攻關。該項目持續了三年，研發費用高達1.1億美元，其中韓國政府承擔了57%。

1989年，三星成功量產4M DRAM，和日本幾乎同時投放市場。這時離韓國正式進軍半導體產業，僅僅過去了六年。

用了8年時間，韓國的DRAM產業完成了對日本的超越，資料來源：雲鋒金融整理

"賭徒"三星

儘管韓國半導體產業的發家史沾了美國大兵的光，但在之後的崛起過程中，美國漸漸失去了對韓國企業的控制。這其中的關鍵因素，就是三星這家獨一無二的"企業"。

在韓國，三星的影響力可謂"一手遮天"。這家公司每年的營收佔了韓國GDP的20%，有人調侃，韓國人一生有三件事情無法避免——死亡、稅收和三星。

在半導體行業，三星最出名的就是其拚命三郎式的"反周期投資"策略。

在之前介紹的日本半導體產業史中，上世紀80年代後半段是行業的低潮期。三星在1984年推出64K DRAM時，恰逢內存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，由於三星的生產成本是1.3美元，所以每賣一片內存，公司就要虧掉1美元。3年時間公司損失了3億美元，這足以讓三星電子的股權資本金全部歸零。

然而和當時黯然退出DRAM行業的英特爾，以及大幅削減資本開支的NEC等日企不同，三星選擇了逆勢而上，像賭徒般瘋狂加碼。

"越是困難，就越要加大投資。"這是李澤熙的鬥志體現，而三星集權式的管理結構成全了他。

好在半導體行業的周期並不長，1987年的日美半導體協議就讓DRAM內存價格回升，三星活了過來。

韓國半導體產業的投資從此風起雲湧。從1990年開始，三星建立了26個研發中心，LG建立18個，現代建立14個，對半導體領域的研發投入從1980年的850萬美金飆升至1994年的9億美金。在專利技術方面，1989年韓國的專利技術應用有708項，1994年已經上升到3336項。

不過更能體現三星投資特色的，還是2008年金融危機時的殊死一戰。

彼時，DRAM價格暴跌九成，就在全行業陷入虧損，眾廠商哀鴻遍野時，三星卻做出一個令人瞠目結舌的決定：將三星電子上一年的利潤全部用於擴大產能，故意擴大行業的虧損。

很快，DRAM的價格就跌破材料成本，工廠全面陷入停工。最先倒下的是德國巨頭奇夢達，由於資金鏈斷裂，於2009年初破產。日本的爾必達在苦苦支撐數年後被美光收購。

這一役過後，整個DRAM行業只剩下三星、SK海力士和美光三大玩家。其中，三星和SK海力士兩大韓國巨頭獨佔75%的份額，成為名副其實的行業霸主。

為什麼三星可以如此不顧產業周期的進行投資？為什麼它又每次都能熬過最艱難的時期，死裡逃生成為最後的贏家？

因為在它背後，有幅員遼闊的需求市場。不，我們說的不是"彈丸之地"的韓國。

1986年，在三星電子的股權資本金幾乎全部虧光的關鍵時刻，美國政府依據《日美半導體協議》對日本人的約束，對韓國企業打開了當年全球最大的消費市場——美國國內市場。韓國半導體企業迅速填補了日企留下的空白，佔據了30%的美國DRAM市場份額。一年後，三星扭虧為盈，度過最危險的時刻。

十幾年後，向韓國半導體企業打開的市場變成了中國。除了無錫海力士工廠的案例讓其安然度過金融危機以外，三星在"韓日NAND FLASH戰鬥"中的勝利也同樣要部分歸功於中國市場。

2011年，三星與日本東芝在NAND FLASH領域的全球競爭如火如荼。當時三星在韓國和美國共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定繼續追加投資新建工廠。

經過談判，三星最終選擇落戶中國西安，項目總投資300億美金，分三期建設。要知道，2011年三星半導體的全球銷售金額不過才285億美金，而之所以敢在西安項目上砸下重金，和地方政府提供的巨額優惠政策是分不開的。

當三星的西安項目落成之後，其巨大的產能優勢讓東芝唯有放棄了存儲部門，韓國人兵不血刃的拿下了這場戰爭。

可以說，三星"賭徒式"的反周期投資背後，是對投資和需求兩端的精準把握。韓國人深刻領悟了這麼一個道理——

"半導體產業是靠巨額投資拼出來的，而投資卻是要靠具有戰略縱深的需求市場托起來的"。

中國台灣

要問誰對中國市場的重要性理解最深刻，韓國半導體行業未必比得過台灣。然而，如果說韓國半導體產業是"政府意志 技術援助 企業投入"一整套日版故事的加強版，那麼台灣就可以算是這個故事的反面教材。

政府意志：投入不足，選擇錯誤

上世紀七十年代初，台灣的電子工業曾經和同期的韓國一樣，僅僅是美日企業的出口加工地。彼時，集成電路還只是台灣大學的一門課程，沒有人想到小小的台灣可以在半導體產業有所作為。

轉折點發生在1975年，政府意志將台灣推上了半導體產業發展的快車。

時任"台灣省經濟部長"的孫雲璇在訪韓時看到韓國政府高薪聘請美國韓裔研究人員回國發展電子工業，受到了極大的觸動。韓國可以做到的，為什麼台灣不可以？

回來後，他便主張成立了台灣工業技術研究院（簡稱工研院），下設電子所，並選派了一批相關學科的碩士和博士工程師到美國RCA公司學習集成電路的設計和製造技術。

為什麼是RCA？因為彼時在這家公司擔任微波研究室主任的，正是台灣人潘文淵。潘還幫助台灣以4.89億元新台幣（約1287萬美元）的價格購入了RCA的整條3英寸晶圓生產線。這讓台灣在這一規格上的建廠速度領先了韓國一年時間。

而當年送去美國學習技術的那群年輕人歸來後，成為台灣集成電路行業的頂樑柱，配合著台灣省政府三個階段的"電子工業研究發展計劃"，先後孕育了聯華電子、台積電、台灣光罩、世界先進等多家集成電路製造公司。

1976年，美國佛羅里達州，台灣工研院送到美國RCA接受3英寸晶圓廠培訓人員。左起王國肇（創惟科技董事長）、林緒德、楊丁元（華邦電子創辦人）、蔡明介（聯發科創辦人）、萬學耘、章青駒（世界先進董事長）、謝錦銘、謝開良、劉長誠。圖片來源：新浪微博

然而台灣政府在將這些企業送上半導體產業的"快車"後，卻接連犯錯，最終讓五百億美元的投資、兩萬多名科技精英的心血在DRAM產業上打了水漂。

第一，日韓的歷史已經證明，要想在半導體晶元產業擁有立足之地，獨立自主的核心技術體系是不可或缺的底氣，而實現這一點的唯一手段就是不計成本的研發投入。企業自身很難擁有這樣的格局和投資能力，只有政府力量才能發揮引導和領投作用。

當年的日本擁有"官產學"三位一體的力量攻關重點項目，韓國也曾依靠財閥和政府的互動關係屢屢進行技術沖關，而台灣在"民進黨"上台之後，卻盲目相信自由市場經濟理論，再沒有這樣的"舉省體制"支持產業的發展。

一個典型案例就是金融危機時失敗的"DRAM產業再造方案"。當時台灣的六家DRAM廠商虧損嚴重，資本實力最為雄厚的南亞科技從2007年起連續巨虧六年，累計虧損達到1608.6億新台幣（約49億美元），最慘的時候每股凈值只剩下0.09新台幣。

為了應對危機，台灣省政府成立了台灣記憶體公司TMC，由聯電副董事長宣明智負責，對六家DRAM廠商進行控股整合。同時，TMC與爾必達和鎂光展開談判，期望共同合作推進自主技術的研發。

彼時，在金融危機中陷入困境的爾必達非常願意向台灣人提供全部核心技術，以換取援助資金。但因為政府希望TMC是一家儘可能純粹的民營企業，因此並沒有主導這一項目，背後有著不同技術合作對象的六家台灣DRAM廠商遲遲無法整合，和爾必達的談判推進緩慢。

與此同時，台灣媒體也在煽風點火，"自由時報"就以《國發基金小心掉進大錢坑》為標題，宣稱TMC是個錢坑，DRAM產業面臨產能過剩、流血競爭等，不適合政府用納稅人的錢參與其中。

2009年10月，"DRAM產業再造方案"在台灣省立法院審議時遭到否決，國發基金被禁止投資TMC公司，台灣省DRAM產業整合計劃宣告失敗。而此時，全球DRAM行業已經開始出現回暖，爾必達也不再尋求向台灣轉讓核心技術。

曾經放在台灣半導體人面前短暫的發展窗口就這樣關閉了。台灣DRAM行業從此一蹶不振，並在2015年鎂光收購華亞科技後徹底消失。

第二，由於"民進黨政府"的錯誤選擇，台灣放棄了大陸市場的戰略縱深。

日本在半導體核心技術的發展期擁有本土和美國的廣闊市場，而韓國先有美國開放市場，後又深入中國市場。台灣則背道而馳，在民進黨上台後"拒絕西進大陸"。

這一充滿政治意味的選擇，也是台灣DRAM產業在2008年金融危機時被血洗後無力回天，而韓國的海力士由於無錫工廠的投產和中國市場的旺盛需求，僅僅用了一年時間就扭虧為盈的關鍵原因。

企業投入：自主還是代工？

說到台灣的半導體產業，不得不提的霸主就是台積電。然而正是台積電的成功，讓台灣的半導體行業全面轉向更"短平快"獲取利潤的代工模式，失去了研發核心技術的可能性。

其實台積電的代工基因從一誕生便已註定。

1985年8月，德州儀器的資深副總裁張忠謀辭去工作，回到台灣出任工研院負責人。張忠謀提出了設立專業晶元代工廠的設想，為那些沒有晶圓廠的半導體設計公司提供代工生產。恰巧此時，荷蘭飛利浦公司也希望在台灣設立晶圓廠，兩者一拍即合。1987年，台灣積體電路製造公司（TSMC）作為晶圓代工廠孕育而生。

在此之後，台積電便如巨獸般不斷吞食擁有技術研發意願，卻因為行業周期虧損而被拋棄的同行們。

1989年，台灣宏碁電腦（占股74%）與美國德州儀器（占股26%）合資設立德碁半導體，這是台灣第一家專業的DRAM生產廠。然而受到景氣周期影響，在亞洲金融危機期間德碁累計虧損超過50億新台幣。此時，美國德州儀器終於不堪忍受，將DRAM業務甩賣給了鎂光。德碁失去了技術來源後，1999年被宏碁高價出售給了台積電，隨後被台積電改造成了晶圓代工廠。

1994年，台灣省經濟部在新竹園區投資180億新台幣（5億多美元），創辦世界先進積體電路股份有限公司（簡稱世界先進），以DRAM晶元為主攻業務，建成了台灣第一座8英寸晶圓廠。然而由於投資規模太小，產能微不足道，世界先進根本無力與韓國三星、日本NEC等巨無霸進行同場廝殺，成立十年中僅盈利過兩年，到2003年已經累計虧損達194.12億新台幣，被迫退出了DRAM生產。隨後在持股30%的台積電主導下，世界先進也轉型成了晶圓代工廠。

世界先進曾是台灣唯一一家能夠進行DRAM產業技術研發的企業。通過對世界先進，以及之後的力晶、世大等收購整合，台積電成為全球半導體代工之王的同時，也消滅了台灣DRAM產業獨立自主開發的能力。

除了讓台積電"背鍋"之外，沒有自主的核心技術體系也是台灣半導體產業投資不足的原因。無論是日韓還是美國，DRAM巨頭們的研發費用平均佔到營收的15-20%，而台灣企業的研發費用比例僅為6%。這是因為每年台灣半導體企業要向美日歐支付超過200億元新台幣以上（6億美金）的技術授權費用，再加上巨額的進口設備投資，使得台灣企業根本無力再投入巨資進行先進技術的研發。

結語

縱觀幾十年來日韓和中國台灣在半導體產業的搏殺史，我們可以嘗試著得出幾個結論：

1、半導體晶元這個行業，與其說是企業之間的拼殺，不如說是國力的比拼。與其他市場化競爭的行業不同，半導體產業需要持續不斷巨額投入的同時，行業自身卻有著極強的周期性，這使得純粹以市場規律運行的商業公司難以憑藉一己之力存活下去。

美國依靠軍用轉民用的道路和先發優勢屹立不倒，日本曾經靠"官產學"三位一體的集團軍作戰方式獨佔鰲頭，而韓國則是憑藉國家的投入和三星財閥獨特的集權式管理殺出一條血路。

反觀台灣，雖有美國不遺餘力的技術支持和一代代精英人才的不懈努力，卻因為缺乏政府主導，也沒有志在高遠的巨無霸企業，導致在全球半導體，尤其是DRAM產業中只能如流星划過。

2、如果說政府投入是半導體產業發展的關鍵驅動力，那麼擁有自主的核心技術體系就是產業賴以生存的靈魂。如果日本不是在七十年代末以舉國之力和巨額資金完成了"VLSI"項目從而一舉獲得了獨立自主的核心技術，如果韓國不是在八九十年代憑藉三星財閥拚命三郎般的投資風格得以擺脫對美國技術轉移的依賴，如果日韓政府不是高屋建瓴的培育產業鏈，包括打造上游的核心設備和原材料行業，那麼他們總會在某次的行業低潮周期被他國一舉擊敗不得翻身，一如金融危機時的台灣。

3、如果說技術這個產業靈魂還能靠不計成本的資金投入，以及學校實驗室、政府研究所的外部支援快速追趕，那麼真正要在商業領域要和競爭對手進行白刃戰，量產工藝是必須要解決的難題，而這就只能憑藉時間積累或者技術轉移方能完成。

良品率的改善很難依靠某個天才的發明解決，工藝水平的提高要建立在無數個失敗的生產批次之上，而這一切都需要企業拋開短期的浮躁和盈利衝動，著眼大局和未來方可達成。這無疑需要政府在背後的大力支持，甚至需要一些"委曲求全"去換取他人已有的經驗教訓。

小不忍則亂大謀，這是深諳此道的日韓能夠在這一產業崛起的原因，也是中國半導體產業想要走向輝煌的關鍵。

來源：36氪

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