摩爾定律失效 三星2021年量產3nmGAA

三星近日發布了新一代3nm閘極全環工藝。外界預計三星將於2021年量產3nm GAA工藝。根據 Tomshardware 網站報道，三星晶圓代工業務市場副總 RyanSanghyun Lee表示，三星從2002年以來一直在開發GAA技術，通過使用納米 片 設 備 制 造 出 了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，從而實現3nm工藝的製造。

如果將 3nm 工藝和新近量產的 7nmFinFET 相比，晶元面積能減 少 45％ 左 右 ， 同 時 減 少 耗 電量 50％ ， 並 將 性 能 提 高 35％ 。當天的活動中，三星電子將 3nm工程設計套件發送給半導體設計企業，並共享人工智慧、5G 移動通信、無人駕駛、物聯網等創新應用的核心半導體技術。

只要靜電控制能力增加，閘極的長度微縮就能持續進行，摩爾定律重新獲得延續。此次，三星電子 3nm 製程將使用 GAA 技術，並推出 MBCFET，目的是確保 3nm 的實現。不過，三星電子也表示，3nm 工藝閘極立體結構的實現還需要 Pattern 顯影、蒸鍍、蝕刻等一系列工程技術的革新，並且為了減少寄生電容還要導入替代銅的鈷、釕等新材料，因此還需要一段時間。

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