科創板：安集微電子科技 股份有限公司已獲上交所問詢
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5月27日消息，上海證券交易所5月27日發布了科創板上市委2019年第1次審議會議公告，將於6月5日召開第1次審議會議，審議安集微電子科技（上海）股份有限公司發行上市申請。將審議的企業，已完成多輪審核問詢的回復和披露，上交所審核機構也於日前召開審核會議，形成了審核報告和初步審核意見，現按照規定啟動上市委審議程序。後續，將根據發行人問詢回復和審核進展，陸續分次召開上市委審議會議。
公司主營業務
據安集微電子科技於3月29日發布的科創板首次公開發行股票招股說明書（申報稿）中介紹：公司主營業務為關鍵半導體材料的研發和產業化，目前產品包括不同系列的化學機械拋光液和光刻膠去除劑，主要應用於集成電路製造和先進封裝領域。公司成功打破了國外廠商對集成電路領域化學機械拋光液的壟斷，實現了進口替代，使中國在該領域擁有了自主供應能力。公司化學機械拋光液已在130-28nm技術節點實現規模化銷售，主要應用於國內8英寸和12英寸主流晶圓產線；14nm技術節點產品已進入客戶認證階段，10-7nm技術節點產品正在研發中。
截至2018年12月31日，公司擁有授權發明專利190項，覆蓋中國大陸、中國台灣、美國、新加坡、韓國等多個國家和地區。公司作為項目責任單位完成了「90-65nm集成電路關鍵拋光材料研究與產業化」和「45-28nm集成電路關鍵拋光材料研發與產業化」兩個國家「02專項」項目，目前作為課題單位負責「高密度封裝TSV拋光液和清洗液研發與產業化」和「CMP拋光液及配套材料技術平台和產品系列」兩個國家「02專項」項目。
公司的核心技術涵蓋了整個產品配方和工藝流程，包括金屬表面氧化（催化）技術、金屬表面腐蝕抑制技術、拋光速率調節技術、化學機械拋光晶圓表面形貌控制技術、光阻清洗中金屬防腐蝕技術、化學機械拋光後表面清洗技術、光刻膠殘留物去除技術等，具體情況如下：
面臨的挑戰
從半導體材料行業競爭格局看，全球半導體材料產業依然由美國、日本等廠商佔據絕對主導，國內半導體材料企業和海外材料龍頭仍存在較大差距。長期以來，全球化學機械拋光液市場主要被美國和日本企業所壟斷，包括美國的Cabot Microelectronics、Ve r su m和日本的Fujimi等。其中，Cabot Microelectronics全球拋光液市場佔有率最高，但是已經從2000年約80%下降至2017年約35%，表明未來全球拋光液市場朝向多元化發展，地區本土化自給率提升。公司成功打破了國外廠商的壟斷，實現了進口替代，使中國在該領域擁有了自主供應能力。
公司已完成銅及銅阻擋層等不同系列化學機械拋光液產品的研發及產業化，並且擁有完全自主知識產權，部分產品技術水平處於國際先進地位。國內高端光刻膠去除劑主要依賴進口。除美國的Versum、Entegr is外，光刻膠去除劑細分行業內主要企業還包括上海新陽。
發展機遇
2016年度、2017年度、2018年度，公司向前五名客戶合計的銷售額占當期銷售總額的百分比分別為92.70%、90.01%、84.03%，其中向中芯國際下屬子公司的銷售收入佔比分別為66.37%、66.23%、59.70%。公司銷售較為集中的主要原因系全球和國內集成電路製造行業集中度較高、公司產品應用特點和「本土化、定製化、一體化」的服務模式等，且公司前五名客戶中芯國際、台積電、長江存儲、華潤微電子、華虹宏力均為全球或國內領先的集成電路製造廠商。
公司經過多年以來的技術積累、品牌建設，在半導體材料行業取得了一定的市場份額和品牌知名度。目前公司的競爭對手主要為美國和日本企業，如果競爭對手開發出更具有競爭力的產品、提供更好的價格或服務，或者競爭對手獲得特定的知識產權，則公司的行業地位、市場份額、經營業績等均會受到不利影響。
在CMP方面，化學機械拋光（CMP）是集成電路製造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝。與傳統的純機械或純化學的拋光方法不同，CMP工藝是通過表面化學作用和機械研磨的技術結合來實現晶圓表面微米/納米級不同材料的去除，從而達到晶圓表面的高度（納米級）平坦化效應，使下一步的光刻工藝得以進行。CMP的主要工作原理是在一定壓力下及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊做相對運動，藉助納米磨料的機械研磨作用與各類化學試劑的化學作用之間的高度有機結合，使被拋光的晶圓表面達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根據不同工藝製程和技術節點的要求，每一片晶圓在生產過程中都會經歷幾道甚至幾十道的CMP拋光工藝步驟。CMP工藝原理圖儘管摩爾定律在不斷被挑戰，集成電路製造技術仍然在世界範圍內不斷被更新並向更先進的技術推進，化學機械拋光技術也不例外，這就對CMP工藝使用的關鍵材料（即化學機械拋光材料，主要包括化學機械拋光液和拋光墊）提出了更高要求，主要體現在「難」、「專」、「多」三個方面：
「難」。集成電路產業能夠延續摩爾定律不斷發展，離不開半導體材料性能的改善和新材料的應用。為了提高集成電路的性能，集成電路製造商逐步增加每塊集成電路上電子元器件與布線層的數量和密度，這增加了集成電路的複雜性和對CMP拋光材料的相關需求。在「難」方面，在從微米到納米級別的器件線路上，對不同材料的去除速率、選擇比及表面粗糙度和缺陷都要求精準至納米乃至埃（分子級）。如此精準的控制需要通過精製、客制拋光液在宏觀的拋光機台和拋光墊的作用下完成，這些高難工藝對拋光材料的性能提出了極大的挑戰。隨著技術節點的推進，在14納米、10納米、7納米、5納米等更先進的製程節點，CMP工藝將面臨各種高難度的挑戰，對拋光材料尤其是拋光液將提出前所未有的高難度技術要求。
「專」。在邏輯晶元、存儲晶元等集成電路技術不斷推進過程中，對拋光材料的需求出現了「專」的趨勢和特徵，客戶和供應商聯合開發成為成功的先決條件。即使是同一技術節點，不同客戶的集成技術不同，對拋光材料的需求也不同。
「多」。在集成電路技術不斷推進過程中，必然出現多種新技術和新襯底材料，這些新技術和新襯底材料對拋光工藝材料提出了許多新的要求。隨著集成電路技術的進步和對集成電路性能要求的增加，下遊客戶在製造過程中使用CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進的邏輯晶元工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機會，比如14納米以下邏輯晶元工藝要求的關鍵CMP工藝將達到20步以上，使用的拋光液將從90納米的五六種拋光液增加到二十種以上，種類和用量迅速增長；7納米及以下邏輯晶元工藝中CMP拋光步驟甚至可能達到30步，使用的拋光液種類接近三十種。同樣地，存儲晶元由2D NAND向3D NAND技術變革，也會使CMP拋光步驟數近乎翻倍。
在光刻膠去除劑方面，光刻膠去除劑根據光刻膠下游應用領域不同，公司光刻膠去除劑包括集成電路製造用、晶圓級封裝用、LED/OLED用等系列產品。在光刻工藝中，光刻膠被均勻塗布在襯底上，經過曝光（通過局部光線照射產生潛影，改變局部光刻膠溶解度）、顯影（利用顯影液溶解改性後光刻膠的可溶部分）與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。在圖案化的最後（即在光阻層的塗敷、成像、離子植入和蝕刻之後）進行下一工藝步驟之前，光刻膠殘留物需徹底除去。在摻雜步驟中離子轟擊會硬化光刻膠聚合物，使得光刻膠變得不易溶解從而更難除去。公司產品光刻膠去除劑是用於圖形化工藝光刻膠殘留物去除的高端濕化學品。光刻膠去除劑一般由去除劑、溶劑、螯合劑、緩釋劑等組成，其中關鍵是去除劑和溶劑的選擇，從而獲得優異的交聯光刻膠聚合物的去除；螯合劑及緩蝕劑等添加劑提供金屬及非金屬基材分子級、原子級保護，並進行光刻膠殘留物選擇性去除，為其中核心技術。
公司營收
成功打破了國外廠商對集成電路領域化學機械拋光液的壟斷，實現了進口替代，使中國在該領域擁有了自主供應能力。公司經過多年以來的技術和經驗積累、品牌建設，憑藉紮實的研發實力及成本、管理和服務等方面的優勢，在半導體材料行業取得了一定的市場份額和品牌知名度。報告期內，公司化學機械拋光液全球市場佔有率情況如下：
註：以2016年度、2017年度、2018年度人民幣平均匯率分別為1美元兌6.6423元、6.7518元、6.6174元測算，其中「全球銷售額」數據來源於Cabot Microelectronics官網公開披露的資料。
公司光刻膠去除劑產品銷售收入佔比逐年增加，除應用於集成電路領域外，還應用於LED/OLED領域。2016年度、2017年度、2018年度，光刻膠去除劑銷售收入分別為1,941.78萬元、2,300.92萬元、4,205.34萬元，2017年度和2018年度增長率分別為18.50%和82.77%。
報告期內，公司主營業務收入的構成情況如下：
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