我國晶元研發傳出好消息，3納米晶體管將與世界頭號強國正面競爭

作為一個發展中的大國，我國在現代化的進程中仍面臨諸多挑戰，就在前不久，華為遭遇了斷供危機，一時間我國的晶元研發成為各方關注的焦點，甚至不少相關人士看衰形勢，認為最終還是會對美妥協。

不過，斷供危機過去沒多久，我國晶元研發就傳出好消息，3納米晶體管技術已經獲得關鍵突破，儘管現在應用最為廣泛的仍是7納米晶體管，但3納米晶體管技術代表的是未來的晶元研發，這也意味著我國的晶元技術已經可與世界頭號強國正面競爭。

據了解，3納米的晶體管技術是由中科院的殷華湘團隊負責研發，相較於現有的7納米晶體管技術，3納米晶體管可大大增強晶元的性能，同時降低能量耗損。

但是，3納米晶體管技術要想獲得成功，仍需要克服多個障礙，其中波爾茲曼暴政是一個無法迴避的難題，按照該理論，越多的晶體管安裝在晶元上，就會產生巨大的熱量，超過一定界限，晶體管運行所產生的熱量就會直接燒毀晶元。

然而，這個問題經過殷華湘團隊的多番努力，終於得以解除，並提出了一個負電容的方法，即用晶體管所需最小電量的一半，維持晶體管的運行，藉此減少晶體管產生的熱量，但要想實現商業化的量產，仍需要數年時間。

另外，在3納米的技術領域，韓國三星已經取得了明顯的突破，並對外表示將在明年上半年完成3納米晶體管的研發工作，只是關鍵的晶元量產沒有提上議事日程，就這一點來看，在電子領域有突出優勢的三星，也在3納米晶體管的量產上遇上了大麻煩。

值得注意的是，就在各國爭相研發3納米晶體管的技術時，我國已經盯上了原子級別的0.5納米晶體管技術，這表明我國在晶體管技術的研發中，已經走出了學習模仿的階段，開始構建具有我國特色的晶體管技術，可謂提氣至極。

「註：本文部分圖片來源於網路！文章未經授權禁止轉載！關注我們，每天閱讀更多精彩內容」

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！