當前位置:
首頁 > 科技 > 瀾起科技IPO過會 科創板迎第4家集成電路企業

瀾起科技IPO過會 科創板迎第4家集成電路企業

瀾起科技IPO過會 科創板迎第4家集成電路企業

打開今日頭條,查看更多圖片

圖片來源:拍信網

6月13日,上海證券交易所科創板股票上市委員會第2次審議會議結果顯示,瀾起科技股份有限公司(以下簡稱「瀾起科技」)成功過會,成為科創板第3批過會企業、第4家登陸科創板的集成電路企業。

報告期內業績、毛利率增幅明顯

資料顯示,瀾起科技成立於2004年,是一家採用採用Fabless模式的集成電路設計企業,主營業務是為雲計算和人工智慧領域提供以晶元為基礎的解決方案,目前主要產品包括內存介面晶元、津逮伺服器CPU以及混合安全內存模組。

事實上,此前報告期內瀾起科技還曾有消費電子晶元產品,但2017年7月瀾起科技轉讓了產品平均單價較低的消費電子晶元業務相關資產,自2017年8月後不再從事該業務。消費電子晶元業務的剝離後,內存介面晶元業務成為瀾起科技的最主要收入來源,2016年至2018年內存介面晶元銷售佔比分別為66.08%、76.14%、99.49%。

招股書顯示,2016年至2018年瀾起科技的營業收入分別為8.45億元、12.28億元、17.58億元,後兩年的同比增長幅度分別為45.3%與43.2%;凈利潤分別約為9280.43萬元、3.47億元、7.37億元,後兩年的同比增幅高達273.8%和112.4%,增幅尤為明顯。

此外,2016年至2018年瀾起科技核心業務內存介面晶元的毛利率分別為63.00%、65.84%、70.82%,公司綜合毛利率亦分別高達51.20%、53.49%、70.54%,呈現逐年上升之勢。

作為一家技術密集型企業,研發投入是衡量公司技術實力的重要參考之一。2016年至2018年,瀾起科技研發費用分別為1.98億元、1.88億元、2.77億元,占營業總成本的比例分別為26.22%、20.03%和27.29%,佔比較高,且占營業收入的比例保持在15%以上。

截至2018年12月31日,瀾起科技的研發人員181人,占員工總數比達70.98%;截至2019年4月1日,瀾起科技獲授權的國內外專利達90項,獲集成電路布圖設計證書39項。

報告期內業績大幅增長、毛利率顯著提升、研發投入佔比較高等數據顯示,瀾起科技近年來呈現出較高的成長性,經營狀況良好。

全球三大內存介面晶元廠商之一

內存介面晶元是瀾起科技的核心業務。內存介面晶元是伺服器內存模組的核心邏輯器件,包含寄存時鐘驅動器和數據緩衝器,是內存模組的核心控制晶元,主要作用是提升內存數據訪問的速度及穩定性,滿足伺服器CPU對內存模組日益增長的高性能及大容量需求。

在內存介面晶元領域耕耘十多年,如今瀾起科技已成為全球可提供從DDR2到DDR4內存全緩衝/半緩衝完整解決方案的主要供應商之一。

招股書顯示,瀾起科技分別於2008年6月、2011年8月、2013年10月推出DDR2、DDR3、DDR4內存介面晶元並通過CPU廠商認證,其發明的DDR4全緩衝「1+9」架構被JEDEC採納為國際標準,相關產品已成功進入全球主流內存、伺服器和雲計算領域,並佔據國際市場的主要份額。

招股書還指出,目前全球市場中可提供內存介面晶元的主要廠商共有三家,分別為瀾起科技、IDT、Rambus。根據同行競爭對手年報披露數據測算,2018年瀾起科技和IDT在全球內存介面晶元的市場佔有率均在40%~50%之間,Rambus的市場佔有率在10%以內。

報告期內,瀾起科技內存介面晶元主要客戶為富昌電子、海力士、海太半導體、金士頓、三星電子、Hanyang Digitech Co.Ltd等。由於下游DRAM市場高度壟斷,報告期內瀾起科技對前五大客戶的銷售佔比分別為70.18%、83.69%和90.10%,客戶集中度較高。

DDR5內存介面晶元正在設計優化

內存介面晶元緊跟DRR內存技術的更新換代而不斷演進,最近三年,DDR4技術的發展進入了成熟期,成為了內存市場的主流技術,但2018年底全球各大主要內存晶元廠商已公布各自的DDR5研發進度,預計在未來幾年,DDR5相關技術將逐漸取代DDR4。

根據全球各大主要內存晶元廠商宣布的研發進度情況,第一代DDR5內存有望在2019年底之前完成相關行業標準的制定。目前,瀾起科技正全程參與JEDEC組織對最新DDR5內存介面產品的規格定義,DDR5內存介面晶元相比於前一代DDR4內存介面晶元,可以支持更高的速率以及更低的電壓。

DDR5研發方面,2018年瀾起科技啟動了DDR5內存介面晶元的工程版晶元研發,目前已完成工程版晶元流片及功能驗證,各項指標和功能符合預期。未來,瀾起科技將根據JEDEC組織關於DDR5內存介面晶元後續推出的完整規格書更新晶元設計。

招股書披露,瀾起科技DDR5相關研發項目包括Gen1.0 DDR5寄存時鐘驅動器晶元和Gen1.0 DDR5數據緩衝器晶元,目前正處於設計優化階段,預計於2020年底前完成第一代DDR5內存介面晶元量產版的研發工作,預計量產時間為2021-2022年。

牽手Intel、清華大學,發力津逮伺服器CPU

除了內存介面晶元業務外,瀾起科技還在拓展津逮伺服器CPU業務。

2016年以來,瀾起科技與Intel及清華大學鼎力合作,研發出津逮系列伺服器CPU。其中公司負責整體模塊及部分晶元的設計,清華大學提供可重構計算處理器(RCP)的演算法,Intel提供其通用CPU內核晶元,並由公司委託第三方進行晶元製造、封裝和測試,形成最終產品後由公司統一銷售,津逮伺服器CPU的所有權及品牌歸屬為瀾起科技。

報告期內,津逮伺服器CPU處於研發階段,其2017年、2018年的銷售收入來源主要系向客戶及合作夥伴銷售的工程樣品和第一代津逮伺服器平台產品所得,其銷售收入占公司收入比重較低,對報告期內公司的經營影響較小,但該系列產品將作為公司未來三年的重點發展方向之一。

2018年底,經過三年研發,公司已推出第一代津逮伺服器CPU及混合安全內存模組,現已進入市場推廣階段,已初步具備拓展至伺服器平台的能力。目前第一代津逮伺服器平台已具備量產能力,將根據客戶訂單安排生產及銷售,公司一有一定數量的在手訂單。

值得一提的是,瀾起科技提到,英特爾通用CPU內核晶元在津逮伺服器CPU成本中的佔比在90%左右,而英特爾在瀾起科技具有多重身份,既是客戶又是供應商,同時還是其股東。

募資23億元,投建三大項目

招股書披露,這次登陸科創板瀾起科技擬申請首次公開發行不超過11298.1389萬股人民幣普通股(A股),擬募集23億元資金,其中10.18億元擬投入新一代內存介面晶元研發及產業化項目中,7.45億元擬投入津逮伺服器CPU及其平台技術升級項目中,5.37億元擬投入人工智慧晶元研發項目中。

新一代內存介面晶元研發及產業化項目將在瀾起科技現有內存介面晶元產品的基礎上,開展新一代DDR4內存介面晶元、面向DDR5寄存式雙列內存模組和減載雙列直插內存模組的DDR5內存介面晶元的研發,包括高性能、低功耗的DB晶元和寄存時鐘驅動器RCD晶元研發。

津逮伺服器CPU及其平台技術升級項目將依據數據中心對數據安全的更高要求,對津逮伺服器CPU及其平台進行技術升級,包括可重構計算處理器及混合安全內存模組的升級研發。該項目相關產品具備高性能、高可靠性、高安全性等優勢,同時為用戶提供晶元級實時安全監控功能。

人工智慧晶元研發項目將開發用於雲端數據中心的AI處理器晶元和SoC晶元。瀾起科技表示,根據未來行業發展趨勢,公司已將人工智慧晶元領域作為未來戰略發展方向之一,建立了以二十多人為骨幹的研發團隊,並將根據研發進度及募集資金到位情況進一步擴充研發團隊。

瀾起科技稱,公司未來三年的發展目標是通過持續不斷的研發創新,提升公司在細分行業的市場地位和影響力。如今其IPO已順利過會,未來有望借科創板的東風得到進一步發展。

備註:以上內容為集邦諮詢TrendForce原創,禁止轉載、摘編、複製及鏡像等使用,如需轉載請在後台留言取得授權。

圖片聲明:封面圖片來源於正版圖片庫,拍信網。

喜歡這篇文章嗎?立刻分享出去讓更多人知道吧!

本站內容充實豐富,博大精深,小編精選每日熱門資訊,隨時更新,點擊「搶先收到最新資訊」瀏覽吧!


請您繼續閱讀更多來自 全球半導體觀察 的精彩文章:

Q1全球DRAM品牌廠營收排名出爐:整體產值大幅下滑28.6%

TAG:全球半導體觀察 |