用高倍電子顯微鏡把晶元放大10萬倍，內部構造細思極恐

晶元里的晶體管用肉眼看不到，只能用高倍電子顯微鏡放大10萬倍才能看到，裡面的結構就像一棟房子一樣。Mos管在晶元中放大可以看到像一個「講台」的三維結構，最上面的一層是一個低電阻的電極，通過絕緣體與下面的平台隔開，它一般是採用了P型或N型的多晶硅用作柵極的原材料，下面的絕緣體就是二氧化硅。平台的兩側通過加入雜質就是源極和漏極，它們的位置可以互換，兩者之間的距離就是溝道，就是這個距離決定了晶元的特性。

三柵極晶體管很薄，只有8nm左右，離柵極很近，可以有效控制漏電，它的結構要更複雜一點，類似於一個平台上面有一個十字型的物體，中間是硅體翅片，它可以三個方位控制電路，類似魚的後鰭。三柵極晶體管比MOS管更優秀，電流控制速度更快，減少泄露。

晶元的體積越來越小，對集成電路的要求非常高，大部分用的都是晶體管，很少用到電感、電阻這些容易產生熱量的器件。它們在晶元內部採用的是層級排列方式，第一層有處理器、存儲器功能的晶體管封裝在一起並排，到了第二層或是第三層就是交錯排列方式。

當晶元工藝更進一步的時候，以現在的晶體管技術無法滿足條件。如果到了3納米的工藝節點，現在的晶體管已不適用，科學家們已經在研發新的多橋通道場效應管材料用於晶元製造。

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