高壓MOSFET第四種技術AccuMOS?產品成功上市，提升行業功率密度

5年沉心積累

2019年6月18日

AccuMOS?產品正式發布

集成電路是人類信息化發展的支柱產業。2018年全球集成電路總產值約4000億美元，其中功率半導體產業佔到了9%。功率半導體作為集成電路中佔比最大的行業應用，隨著超級結技術發展到理論極限，而複合物寬禁帶功率半導體技術又面臨成熟度低、成本高等因素推廣困難，如何在現階段有效突破「功率密度」——這一人類不懈追求目標的技術瓶頸是業界面臨的挑戰。

派微電子經過5年的持續創新研發投入，2019年6月18日正式發布的AccuMOS?產品，很好地解決了上述難題。

AccuMOS?採用自主研發的「全新電場操縱」技術，首次將摩爾定律引入高壓功率場效應管（MOSFET）設計，可將Rsp值（Specific Rdson，單位面積電阻）隨設計線寬逐步縮小。本次派微電子發布的AccuMOS?產品功率密度已經達到LDMOS和VDMOS業界最好水平 的2倍以上，並且隨著線寬的進一步減少，功率密度有望於2020年超越業界超級結最佳水平，進而推動行業變革。

AccuMOS?產品的工作原理

AccuMOS?的工作原理如下圖所示

AccuMOS?架構是在傳統的LDMOS架構上疊加了一個IC控制電路。當Gate極上加高電壓導通時，IC電路通過電場操縱，在N-Drift區域形成一個比常態高102以上載流子濃度的導通層，從而有效降低MOSFET的Rdson。並且隨著設計線寬的降低，IC電路形成的操縱電場會越來越均勻，Rdson也會大幅下降，未來將具有超越超級結技術功率密度的水平。

AccuMOS?產品的性能優勢

AccuMOS?的獨創設計，帶來產品三大優勢。

1.AccuMOS?具有業界最優溫升曲線,優於超級結、VDMOS 20%以上

採用歸一化處理，假設常溫25℃時, AccuMOS?、超級結、VDMOS的Rdson是1，那麼在工作溫度125℃時，AccuMOS?比超級結、VDMOS 的Rdson要低20%以上，具有業界最佳溫升性能。

2.AccuMOS?具有業界最佳EMI性能,比超級結、VDMOS低5db以上

AccuMOS?的背面為Source極，直接與金屬散熱片接觸，可將導熱係數提高一個數量級，同時維持較低的EMI輻射水平。實際測試結果表明，AccuMOS?的EMI性能比超級結、VDMOS低5db以上。

3.AccuMOS?與控制器IC採用同一工藝平台,可提供單一晶元解決方案

派微電子在推出AccuMOS?產品的同時，同步開發了電源控制IC電路設計所需要的各種低壓元器件，提供PDK設計包。IC設計合作夥伴，可以基於AccuMOS?平台，向客戶可提供單一晶元解決方案。

AccuMOS?產品的產品系列

AccuMOS?本次發布的產品，覆蓋了60W以下,500-800V的MOSFET領域。

AccuMOS?產品的應用領域

AccuMOS?產品可廣泛應用於充電器、LED驅動電源、適配器、智能家電、充電樁和通信電源等領域。

派微電子團隊秉承「創新拼搏，成事為樂」的企業文化，期待與您的深入合作。期望本次發布的AccuMOS?產品，能為電源行業的發展注入新的動力。

砥礪前行

派微電子一路走來，

獲得了諸多業內好友的支持、鼓勵與幫助，

值此產品發布之際，

亦收穫了滿滿的祝福與寄語，

感恩，感謝！

派微電子（深圳）有限公司

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