華為風暴衝擊晶元業，預計明年第2季才能復甦

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中美兩國大打貿易戰，美國將角力擴大至科技領域，讓中國手機製造大廠華為成為首要箭靶。全球供應鏈大亂，分析師預測，內存晶元價格今年反彈恐無望，全球內存晶元市場預計明年才會復甦。

《The Korea Herald》報導，高盛(Goldman Sachs)近期發布報告指出，受美國制裁華為影響，中國對內存晶元的需求趨緩，導致DRAM供貨商的庫存水位增加，面臨價格下跌壓力。南韓內存大廠SK海力士(SK Hynix)為華為智能型手機晶元的主要供貨商，但因為來自華為的訂單減少，SK海力士已決定放緩中國最新DRAM工廠的量產腳步。

包括瑞銀證券(UBS Securities)、高盛(Goldman Sachs)和摩根士丹利(Morgan Stanley)近期報告均指出，SK海力士可能會在今年第4季陷入虧損。南韓金融服務公司Meritz Financial Group報告稱，SK海力士或於今年第4季出現季度赤字，且頹勢將延續至明年上半年。

分析師原先預測，全球內存晶元市場將在今年第4季觸底反彈，但分析師已將反彈的時間點預測延遲到2020年第2季。根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，今年7月至9月期間，全球DRAM價格將下跌10%至15%，高於先前預測的10%跌幅。

路透社、《華爾街日報》日前報導，晶元龍頭之一的博通(Broadcom)6月13日美股收盤後宣布下修財測，指基於中美貿易戰及美國對華為下達禁令等因素，該公司2019年全年營收將銳減20億美元，從原本預估的245億美元降至225億美元。

這項消息對全球半導體業來說，不啻是一記重擊。博通13日盤後股價重挫8.54%至257.57美元。博通同業同步走低，嘉實XQ全球贏家系統報價顯示，14日費城半導體指數下跌2.61%、收1356.55點；成分股高通(Qualcomm)股價下跌1.73%、應用材料(Applied Materials)下跌1.01%、英特爾(Intel)下跌1.09%。

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