5G 基站為何建得比 4G 多?
在 5G 戰火紛飛之際,無論是基礎運營商、晶元商還是手機廠商,均以排兵布陣準備良久,只為等待「萬箭齊發」的最佳時機。且同時,為了加快商用的步伐,本月初,工業和信息化部正式向中國電信、中國移動、中國聯通、中國廣電頒發了 4 張 5G 商用牌照。
不過,5G 的發展並沒有想像中那麼快,工信和信息化部信息通信發展司司長聞庫也曾表示,「5G 全面商用還需耐心等待。網路建設從無到有需要過長,建得好不是 5G 的目的,用的好才是 5G 真正的目的。」
此前,我國提出的是 2017 年展開 5G 網路第二階段測試,2018 年大規模試驗組網,並在此基礎上於 2019 年啟動 5G 網路建設,最快 2020 年正式推出商用服務。如今看來,我國的各項建設均在有條不紊的進行中。但在此建設過程中,我們也發現,相比 4G,5G 所需建設的基站數量遠超乎我們想像。在這一點上,據悉,作為世界上第一個開通 5G 商用的國家,韓國將於今年內共建設 23 萬座 5G 基站;德國計劃在 2021 年建設 40000 個 5G 基站;橫縱對比,國內 5G 基站的基本數量已到達 581.4 萬,遠超過 4G 基站數量。
對此,我們不禁發問,以大容量、低延時、高帶寬為特性的 5G,為何需要建立如此龐大數量的基站?這其中的緣由又是為何?接下來,我們將從愛立信5G 專家、3GPP 5G NR 標準推動及制定者精心撰寫的《5G NR標準:下一代無線通信技術》一書中探尋到 5G 關鍵技術毫米波的相關奧秘。
毫米波射頻技術
毫米波通信引入了更大的帶寬,而更大的帶寬就會對數字域和模擬域之間的轉換髮起更高的挑戰。業內廣泛使用基於信號雜訊失真比(Signal-to-Noise-and-Distortion Ratio,SNDR)的Schreier品質因數(Schreier Figure-of-Merit,Schreier FoM)作為模數轉換器的度量,參見:
這裡, SNDR的單位是dB,功耗P的單位是W,以及奈奎斯特抽樣頻率fs的單位是Hz。圖19-1研究結果展示了大量商業ADC的Schreier品質因數和對應奈奎斯特抽樣頻率(對絕大多數ADC就是2倍的帶寬)的關係。圖中的虛線標明了FoM的包絡,在100MHz的抽樣頻率以下基本上恆定在180dB。對於恆定的品質因數,SNDR每增加3dB或者帶寬增加一倍,都會導致功耗翻倍。對100MHz以上的抽樣頻率,會有一個額外的10dB/decade的損失,意味著帶寬增加一倍,功耗是原先的4倍。
圖19-1 ADC的Schreier品質因數
儘管隨著集成電路技術的持續發展,未來的高頻ADC品質因數包絡會緩慢地推高。但是帶寬在GHz範圍的ADC依然無法避免功率效率低下的問題。NR毫米波引入的大帶寬以及天線陣列配置都會引入很大的ADC功耗。因此對基站和終端都需要考慮如何降低SNDR的要求。
在同樣的精度和速度要求下DAC相比ADC較為簡單。而且ADC一般會引入循環處理而DAC不會。因此DAC在研究領域的關注度較低。儘管DAC結構和ADC有很大不同,DAC也可以用品質因數來描述。類似於ADC的情況,大帶寬和對發射機的不必要的苛刻的SNDR要求,會導致更高的DAC功耗。
本振和相位雜訊
本振(Local Oscillator,LO)是現代通信系統一個必不可少的組成部分。一個描述本振性能的參數是相位雜訊。簡單地說,相位雜訊就是本振產生信號在頻域上的穩定程度的衡量。相位雜訊的定義是在一個給定頻率偏移Δf處的dBc/Hz值,描述的是本振產生信號和期望頻率之間偏差Δf的可能性。
本振的相位雜訊會顯著影響系統性能。如圖19-2所示,以單載波為例,在加入了加性高斯白雜訊(Additive White Gaussian Noise,AWGN)建模的熱雜訊之後,比較了有相位雜訊和沒有相位雜訊兩種情況下的16QAM星座圖。對一個給定的符號錯誤率門限,相位雜訊會限制最高的調製階數,如圖19-2所示。換句話說,不同的調製階數會對本振的相位雜訊提出不同的要求。
圖19-2 有相位雜訊(右)和無相位雜訊(左)的單載波16QAM信號
自由振蕩器和鎖相環的相位雜訊特性
生成頻率最常用的電路是壓控振蕩器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)。圖19-3通過一個模型來建模自由振蕩的VCO對不同頻率偏移的特性。
圖19-3 一個典型的自由振蕩VCO 相位雜訊特性[57]:相位雜訊dBc/Hz(Y 軸)和頻率
這裡f0是振蕩器頻率,Δf是頻率偏移,PS是信號強度,Q是諧振器的載入品質因子,F是經驗擬合參數(對應的物理意義是雜訊係數),而Δf1/f3有源設備1/f雜訊的拐點頻率。
根據圖19-3所示公式,可以得出:
- 振蕩器頻率f0加倍,則相位雜訊增加6dB。
- 相位雜訊和信號強度Ps成反比。
- 相位雜訊和諧振器載入品質因子Q的平方成反比。
- 1/f雜訊上變頻提升了臨近載波頻點位置的相位雜訊(即:小頻率偏移)。
因此在設計VCO的時候,需要平衡幾個相關參數。為了比較不同半導體技術和電路拓撲下VCO的性能,往往使用品質因數(考慮了功耗的影響)來進行公平的比較:
其中是PNvco(f)VCO的相位雜訊,單位為dBc/Hz;是功耗,單位為W。這個公式值得注意的一點是相位雜訊和功耗(線性值)都與f20成正比。因此為了保持一定的相位雜訊,增加頻率N倍則意味著功耗需要增加N2倍(假定品質因數一定)。
一個通常的抑制相位雜訊的做法是使用鎖相環(Phase Locked Loop,PLL)。基本結構包括VCO、分頻器(frequency divider)、相位檢測器(phase detector)、環路濾波器(loop filter)和一個高穩定性低頻參考源(比如晶振)。鎖相環輸出的相位雜訊來源包括:
- 在環路濾波器帶寬之外的VCO相位雜訊部分。
- 環路之內的參考振蕩器產生的相位雜訊。
- 相位檢測器和分頻器的相位雜訊。
圖19-4 使用鎖相環的倍頻至28GHz的VCO的本振相位雜訊測量(Ericsson AB,經許可使
圖19-4提供了一個典型的毫米波本振的特性,顯示了一個28GHz本振相位雜訊的測量結果。該本振在低頻使用了鎖相環然後倍頻到28GHz。可以觀察到有4個不同特點的區間:
- f1小頻率偏移<10kHz。大致按照30dB/decade的速率下降,主要來自1/f雜訊上變頻。
- f2頻率偏移在鎖相環帶寬之內。相對平坦並包含多種雜訊來源。
- f3頻率偏移大於鎖相環帶寬。大致按照20dB/decade的速率下降,主要來自VCO相位雜訊。
- f4更大的頻率偏移>10MHz。平坦,主要來自底噪。
毫米波信號生成的挑戰
當振蕩器頻率從3GHz提升到30GHz,相位雜訊也會隨之提升。對特定頻率偏移,相位雜訊會惡化20dB數量級。這顯然會限制毫米波可用調製模式的最高階,最終限制毫米波的最高頻譜效率。
毫米波本振同樣受限於品質因子Q和信號強度Ps。Lesson方程指出,為了獲得較低的相位雜訊,必須提高品質因子Q和信號強度Ps,同時降低有源器件的雜訊係數。不幸的是,當本振頻率提高的時候,上述三個方面往往朝著不好的方向變化:
- 對單片壓控振蕩器(monolithic VCO),振蕩器的品質因子Q會隨著頻率增加而快速降低。主要的原因是:(1)寄生損耗(parasitic loss)增加,諸如金屬損耗(metal loss)或襯底損耗(substrate loss)增加。(2)變容二極體Q降低。
- 信號強度受限。這主要因為高頻操作需要更加先進的半導體設備,其擊穿電壓也會隨著尺寸的降低而降低。這些因素的影響在19.3節里介紹的功放部分也能觀察到,功放也會隨著頻率的增加而導致功放能力的下降(-20dB/decade)。
基於這些原因,在實現毫米波本振的時候,一般都是利用一個相對低頻的鎖相環然後倍頻到目標頻點上。
除了上述的挑戰,1/f雜訊上變頻也提升了臨近載波相位雜訊。當然1/f雜訊和實現技術非常相關,相比於垂直雙極器件(vertical bipolar device)如雙極和HBT,一些平面器件諸如CMOS和高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)會產生更高的1/f雜訊。
為了完全集成MMIC/RFIC VCO和鎖相環,可以採用各種技術(從CMOS和BiCMOS到III-V族材料)。但是因為較低的1/f雜訊和較高的擊穿電壓,一般InGaP HBT是最為常用的。儘管有較為嚴重的1/f雜訊,少數情況下也會採用pHEMT設備。一些方案使用GaN FET結構,儘管可以獲得很高的擊穿電壓,但是1/f雜訊甚至會比GaAS FET器件設備還要高。圖19-5總結了不同的半導體技術,在100kHz頻偏範圍內相位雜訊性能和振蕩器頻率的關係。
圖19-5 不同的半導體技術下相位雜訊性能和振蕩器頻率的關係
最近的研究成果揭示了本振噪底對系統性能的影響。在符號速率比較低的情況下噪底對系統影響不大。但是當符號速率提高之後,比如5G NR,平坦噪底開始對調製後的信號EVM產生影響。如圖19-6所示為不同的符號速率和不同的噪底水平下測量發射信號的EVM結果。這類觀察意味著為寬頻通信進行毫米波本振系統設計的時候,需要額外關注技術的選擇、VCO拓撲和倍頻係數,以期得到合理的較低相位雜訊的噪底。
圖19-6 通過對7.5GHz上發射64QAM信號測量得到符號速率和本振噪底的關係
5G 在物聯網領域的技術應用實踐
以上僅為毫米波技術的部分,而為了幫助通信從業者、物聯網開發者、嵌入式程序員們更好了解並應用 5G 技術,CSDN 作為主辦方特別策劃以「5G 在物聯網領域的技術應用實踐」為主題的沙龍活動,邀請到來自愛立信中國研發部多天線高級專家朱懷松、愛立信中國研發部主人系統工程師劉陽,基於全新的 5G 標準,分享其在實踐中幫助解決物聯網各式各樣需求的方案。
從而讓開發者們得以深入了解無線物聯網需求的多樣性,以及 5G 是如何通過一個統一的框架來滿足未來的物聯網領域的需求的。此外,兩位專家還將探討相較幾乎滿足了人和互聯網連接需求的 4G,5G 在應用過程中還能夠提供哪些特有的功能滿足物聯網的應用。
除了以上兩位專家,微軟(中國)首席技術官韋青、北京郵電大學信息與通信工程學院多媒體技術教研中心主任&博士生導師孫松林、金山雲AIoT事業部高級研發總監肖江等,也會帶來精彩演講!
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