研發4年，英特爾的10nm晶元工藝，比台積電的7nm還要強？

眾所周知，在晶元界一向有一個定律，那就是工藝越先進，性能越強，所以有能力的廠商不斷的在探求晶元製造工藝的極限。

比如台積電，就一直不斷的從14nm到10nm到7nm到5nn，甚至還研究3nm，2nm什麼的，達到極限為止。

也正因為這樣，所以台積電被人認為是現在晶元製造領域最強者，其工藝水平誰都追不上，連世界第一的英特爾都不是對手，因為英特爾目前還在14nm，10nm的晶元在今年才能量產。

但近日，GeekBench 4跑分露出了英特爾10代酷睿的成績，同時網上也出現了有關於英特爾10nm製程工藝的基本指標，大家發現這個指標比台積電的7nm工藝還要強不少。

英特爾的10nm製程在晶體管密度上做到了100.76Mtr/mm2、柵極間距54×44nm，SRAM面積為0.0312μm2。尤其在晶體管密度上，10nm工藝就能實現每平方毫米1億個晶體管，比台積電強不少。

而我們知道晶元的性能和晶體管的多少有很大的關係，像麒麟980有69億晶體管，麒麟970有55億晶體管。

而一般工藝製程越先進，也就代表著晶體管密度越高，同等單位面積下，放的晶體管也越多，只是沒想到英特爾的10nm工藝比台積電的7nm工藝還強就真有點玄乎了，有點突破常理了。

其實說起來，在早幾年前，英特爾的工藝是領先於台積電的，比如FinFET工藝都是他們最先量產的，領先對手兩三年時間。

只是在14nm上英特爾耽擱的太久，從2015到現在已經4年多了，這次才再升級10nm工藝，最終是不是真的比台積電的7nm強，還得等英特爾的晶元發布後，才能見真曉了，你覺得呢？

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