國產90nm快閃記憶體量產：10萬次壽命 25年數據保存

中國每年進口價值1000億美元的存儲晶元，NAND快閃記憶體及DRAM內存都要依賴進口，目前國產快閃記憶體晶元的希望就是紫光集團在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲器基地了，不過真正規模量產還需要一年甚至更長時間。

目前國內也有一些公司研發了用於特定行業的快閃記憶體晶元，比如兆易創新的NOR快閃記憶體，其他還有一些嵌入式快閃記憶體。上海華虹半導體今天宣布其第三代90納米嵌入式快閃記憶體（90nm eFlash）工藝平台已成功實現量產。

根據華虹資料，華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發性存儲器技術領域，通過不斷的技術創新，第三代90納米嵌入式快閃記憶體工藝平台的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優勢，使得晶元整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸晶元數量。與此同時，光罩層數也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續保持著高水準，可達到10萬次擦寫及25年數據保持能力。

近年來，華虹半導體在90納米工藝節點連續成功推出三代快閃記憶體工藝平台，在保持技術優勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平台的大規模穩定量產，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全晶元產品以及微控制器（MCU）等多元化產品提供持續穩定的支持和解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者，未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力於在功耗和面積方面提供顯著的優化，將200mm現有的技術優勢向300mm延伸，更好地服務國內外半導體晶元設計公司，滿足市場需求。」

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