SK海力士宣布量產首款128層TLC 4D NAND

來源：內容來自「快閃記憶體市場」，謝謝。

SK海力士宣布推出業內首款128層TLC 4D NAND Flash，並開始批量生產，容量為1Tb。SK海力士正在開發下一代176層4D NAND，將通過技術優勢，持續增強其在NAND Flash市場上的競爭力。

SK 海力士128層TLC 4D NAND，世界首款

目前Flash原廠主要是集中提高96層3D NAND，SK 海力士推出的128層4D NAND是目前業界最高的垂直堆疊高度，具有超過3600億個NAND單元，每個NAND單元存儲3位元（TLC）。

SK海力士表示，應用了「超均勻垂直蝕刻技術」、「高可靠性多層薄膜電池形成技術」和「超快速低功耗電路設計」等創新技術實現了業界128層堆疊的4D NAND技術，此款TLC新產品提供業界最高的1Tb存儲密度。

SK海力士128層4D NAND生產效率提高40%，將於下半年發售

SK海力士在2018年10月宣布推出創新的4D NAND，將3D CTF（Charge Trap Flash）設計與PUC（Peri.Under Cell）技術相結合。在8個月後，SK海力士通過相同的4D平台和流程優化，在96層NAND的基礎上堆疊多達32層實現128層堆疊，製造工藝的過程減少了5%，從而使得過渡時期的投資成本降低了60%，同時生產效率也提高了40%。

SK海力士128層4D NAND的最大優勢是小晶元尺寸，使其能夠實現1Tb超高密度的NAND Flash。同時，在1.2V時實現了1400Mbps的數據傳輸速率，可以為終端市場提供高性能和低功耗的移動解決方案和企業級SSD解決方案。

SK海力士128層4D NAND技術的UFS和SSD，將在2020年面世

SK海力士計劃2020上半年為高端旗艦智能型手機客戶開發下一代UFS 3.1產品。相比目前智能型手機採用512Gb實現的1TB大容量存儲空間，憑藉SK海力士128層1Tb 4D NAND，實現1TB容量所需的NAND晶元數量將減少一半，將為客戶提供功耗降低20%的移動解決方案。

此外，SK海力士還將在2020上半年大規模生產2TB容量的消費類SSD，以及推出16TB和32TB容量用於雲和數據中心的NVMe SSD。

SK海力士執行副總裁、全球銷售與營銷負責人Jong Hoon Oh表示 「SK海力士通過128層4D NAND確保了其NAND業務的競爭力，憑藉該產品在業界的最高堆疊和容量密度，我們將在合適的時間為客戶提供各種解決方案。」

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！