功率MOSFET平均售價持續上升，廠商未來發展將有這兩大趨勢

自2018年開始，功率MOSFET（Power MOSFET）的平均售價(ASP)持續上升，其中以工作電壓範圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產品成長幅度最顯著，已位居價格帶中的首位；至於其他中低電壓的功率MOSFET產品成長幅度較小，但仍緩步上升。

為因應平均售價成長趨勢的差異化表現，12寸晶圓功率半導體廠的建置及高電壓功率MOSFET產品布局，或將成為未來廠商發展重點。

中低電壓功率MOSFET價格微幅成長，將由12寸晶圓製程提高毛利

過去功率MOSFET以8寸晶圓製造為主，在製程成熟度與穩定性上達到平衡，並已完成成本優化。但在消費性電子產品需求激增下，8寸晶圓需要製造的產品也增加，包括PMIC、指紋識別IC、TDDI及IoT相關晶元等，讓8寸晶圓產能呈現吃緊狀態，引發8寸晶圓廠產能不足的問題，因此對功率MOSFET的IDM大廠來說，轉進12寸晶圓廠是絕佳選擇。

目前具12寸晶圓廠製造功率MOSFET量產能力的廠商為Infineon，已有1座12寸功率半導體廠房生產，且計劃興建第二座，預計2021年開始量產；從Infineon官方資料來看，12寸廠在功率與感測器半導體的前段製程上具有6%成本效益，能為毛利帶來約2%增幅，因此未來將持續擴大12寸晶圓製造比例。

另外，AOS(Alpha & Omega semiconductor)為市場上第二家將以12寸晶圓廠製造功率MOSFET的廠商，預計於2019下半年量產供貨，AOS認為，12寸晶圓製造最直接優勢在產能，且在降低製造成本及提升良率方面也較8寸廠優秀；ON Semiconductor也購入12寸晶圓廠，準備生產功率半導體相關元件。

分析中低壓功率MOSFET(工作電壓範圍<400V)的平均售價趨勢可發現，其價格相對平穩，近期價格雖有上漲但幅度較小，因此降低生產成本為提升毛利的必要條件，也令12寸晶圓製造功率MOSFET備受重視，未來中低電壓功率MOSFET在無法透過價格上漲創造更高利潤下，憑藉12寸廠成本優勢仍有機會貢獻毛利率，並同時解決產能不足問題。

高電壓功率MOSFET價格表現亮眼，為IDM大廠產品主要發展重點

功率半導體在終端產品應用愈發廣泛，尤其近年在車用、5G與高端運算等領域話題性高，皆有部分需求屬於高規格功率MOSFET的應用領域，吸引主要IDM大廠積極投入開發高電壓功率MOSFET(工作電壓範圍>400V)產品，推昇平均售價大幅度成長，位居價格帶首位。

為因應高電壓功率MOSFET市場與技術需求，其中一項發展重點是寬能隙化合物半導體應用，其使用的基底材料朝向以GaN及SiC等化合物半導體材料為主，能達成在高功率與高切換頻率需求。在主要供應鏈廠商中，Infineon、On Semiconductor、STM、ROHM、AOS、Cree等積極開發使用SiC的功率MOSFET元件，除歐美日大廠外，陸系廠商比亞迪、台系廠商強茂也積極開發SiC 功率MOSFET產品。

而在GaN部份，主要玩家有Infineon、AOS、Transphorm等，在高規格需求的功率MOSFET市場中搶佔份額。值得一提的是，由於SiC與GaN晶圓的製造成本較Si晶圓高，也是拉抬高電壓功率MOSFET價格的主要推手之一。

總體而言，歐美日IDM大廠看好高規格功率MOSFET的未來發展，將持續增加既有的Silicon基底功率MOSFET與SiC/GaN基底功率MOSFET的產品數量及應用領域，可望支撐高電壓功率MOSFET價格保持成長水平，進一步帶動高電壓功率MOSFET的市場需求與產值成長。

文丨拓墣產業研究院 徐韶莆

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