美光內存路線圖：10nm級工藝多達六種 單條64GB馬上來

不同於CPU處理器等邏輯晶元的製造工藝都精確到具體數值，快閃記憶體、內存工藝一直都是很模糊的叫法，比如10nm-class(10nm級別)，只是介於20nm和10nm之間，然後又分為1xnm、1ynm、1znm等不同版本，越來越先進，越來越接近真正的10nm。

隨著先進半導體工藝難度的急劇上升，Intel這樣的巨頭都開始吃不消，在工藝上一貫精打細算的快閃記憶體內存廠商也走出了一條新路，比如美光。

相比三星、SK海力士，美光雖然也是DRAM內存巨頭之一，但工藝一直不算很先進，10nm級上更是玩出了花活，擠牙膏手法之新穎讓Intel都會自嘆弗如。

美光早已有了成熟的第一代10nm級工藝也就是1xnm，目前正在擴大產能的是第二代1ynm，生產對象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4顆粒等。

當前美光正在與客戶驗證第三代1znm，預計很快就會官宣，並在2020財年(今年9月開始)投入量產，據稱會主要用來生產16Gb LPDDR5、DDR5顆粒。

按照DRAM內存行業以往的慣例，接下來就要超越10nm級工藝了，但想進入個位數時代實在太難，美光計劃在1nm級上多呆幾年，並準備了至少三種新的10nm級工藝：1αnm、1βnm、1γnm——沒錯，都用上希臘字母了。

如此一來，美光將會有多達六種10nm級工藝，有調研機構稱美光其實還有個升級版的1xsnm，但沒有得到官方確認，如果屬實將有七種，切不排除未來增加更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm當然會一個比一個更先進，一個比一個更逼近10nm，不過具體細節美光暫未披露，只是說會在1βnm、1γnm階段會用上沉浸式四重曝光技術，比現在的雙重曝光、三重曝光更複雜。

同時，美光還在評估EUV極紫外光刻技術，預計屆時只需雙重曝光，可大大降低工藝複雜度，但具體什麼時候、在哪代工藝上使用，美光還沒有做出決定。

美光估計，DRAM內存生產中每一個EUV層需要1.5-2套EUV光刻機，月產能可達10萬片晶圓，CPU等邏輯晶元則需要一個EUV層對應一台EUV光刻機，月產能也僅有4.5萬片晶圓。

目前，台積電、三星已經開始在7nm工藝升級版上部分引入EUV，接下來的5nm上會全面部署，DRAM內存行業顯然不會那麼快。

另外，台北電腦展上我們已經見到威剛、英睿達(美光消費級品牌)展示單條32GB DDR4 UDIMM消費級內存條，使用的都是美光最新的1ynm 16Gb DDR4顆粒。

美光透露，還會用這種顆粒製造單條64GB容量的RDIMM伺服器內存。

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