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美光公開內存路線圖 公布多種工藝

不知道大家看沒看過以前我跟大家聊關於三星工藝的新聞,當時就有人對內存工藝的命名感到奇怪。

事實上出現這樣的情況很正常,因為內存工藝和CPU工藝不一樣,並不像後者那樣準確的給出一個固定的數。而是一個很模糊的區間。

就單純拿我們最常接觸到的10nm-class來看,也僅僅是在20nm和10nm之間,對於CPU的工藝來說,這個區間內也只有14nm和10nm兩個,但是內存就不一樣了1xnm、1ynm、1znm等等各種版本,全部都是區間內的。

當然了,對於現在的半導體工藝來說,每一次提升都是十分困難的,看看隔壁Intel就知道了,但凡他們有點辦法也不至於第一代的10nm上市,僅有低電壓和超低電壓版本了。

所謂傳統DRAM顆粒的巨頭之一,美光在日前公布了自己的路線圖,從圖中可以看到,此次一共提及了4種不同的工藝,分別為1z nm、1αnm、1βnm和1γnm。

按照美光目前的進度來看,1z nm,已經成功流片,正在處於驗證期,如果不出意外的話,根據時間進度來看,還是能夠如期的在今年下半年正式量產,值得一提的是,據稱使用該工藝製造的DRAM顆粒主要用於生產16Gb LPDDR5、DDR5顆粒。

同時為了更先進的工藝做準備,美光正在評估EUV極紫外光刻技術。根據他們所說,採用EUV光刻可以大大降低工藝複雜度,不過具體何時、在哪代工藝上使用,美光還沒有向外界透漏。

在推仔看來,說心裡話我們一天一天的去吐槽Intel擠牙膏,嫌他們14nm加了不知道多少次,但是看看內存廠商,就那麼一個10nm的區間,就出來了1x、1y、1z,現在美光還打算再來三個1α、1β和1γ,看著高大上,實際上都不到10nm,這麼兩相對比,推仔頓時覺得Intel似乎也沒有那麼過分了。

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