大手筆，韓國將投入51億美元支持半導體材料等研發

根據《韓聯社》報導，韓國產業通商資源部3日決定對半導體材料、零部件、設備研發投入6萬億韓元（約 51.3 億美元）的預算。

有資料顯示，2017年韓國半導體材料自產率為50.3%，近期的成長有限。而且韓國在「光刻液」、「高純度氟化氫」的產量趨近於零。尤其是在半導體鋪上電路曝光製程中，需要在硅晶圓上塗上多層「光刻液」，該核心材料目前100%來自日本。

「氟化聚醯亞胺」是PI膜的一種，能用於摺疊面板、半導體封裝以及3D列印等。而日本的「氟化聚醯亞胺」在全球市佔率高達90%。另外，「光刻液」則是應用於集成電路的細微圖形加工上，日本在全球市佔率也剛達90%。而「高純度氟化氫」是半導體清洗製程中必備材料，日本在全球市佔率為70%。

「光刻液」產業相關人士表示，由於韓國較晚開始發展「光刻液」，在該市場早已被日本、美國所佔據，因此一直以來，韓國不敢大舉投資該技術。

報導進一步指出，關於這6萬億韓元的投資未來是如何分配，韓國產業部表示，基於上月發布的製造業復興戰略，進一步細化了關於材料、零組件、設備產業的投資方向。

具體來看就是首先在2020年起的10年內，韓國對半導體材料、零組件、設備研發投入1萬億韓元的項目已完成可行性調查。至於普通材料、零組件、設備，韓國政府正在對從2021年開始的6年內投入5萬億韓元的方案進行可行性調查。

雖然韓國產業通商資源部之前曾經公開表示，計劃在2022年將自產率提高至70%，並在這5年期間推動2萬億韓元規模的企業合作計劃。但半導體產業相關人士指出，政府雖試圖自產這些材料，但尚未有新進度。

另一方面，韓國若要趕上日本的技術，不僅開發成本高，而且只有大企業有能力進行，即使技術開發順利，也很難避開日本的專利情況下，要能藉由投資而降低對日本的依賴，短期內非常困難。

市場人士指出，在半導體方面，三星與SK海力士分別拿下了全球存儲器供應第一及第二的位置，DRAM市佔率超過70%，NAND Flash方面兩家廠商合計也佔有絕對多數。

Source：科技新報

圖片聲明：封面圖片來自正版圖片庫——拍信網。

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