國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張

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摘要

日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張。國際半導體產業降溫6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業群的計劃，並配套部署人事安排，深化和完善紫光集團「從芯到雲」產業鏈的建設。

日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張。

國際半導體產業降溫

6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業群的計劃，並配套部署人事安排，深化和完善紫光集團「從芯到雲」產業鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張。

據美國半導體行業協會官網最新統計，5月全球半導體銷售額為331億美元，同比2018年同期減少14.6%，環比4月有所少量增長；而且相比去年同期，全球所有區域市場的半導體銷售均出現下降，其中美洲下降最多，達到27.9%，日本下降13.6%，中國下降9.8%，亞太其他地區下降12.6%。

美國半導體行業協會總裁兼首席執行官約翰·諾伊弗表示：「全球半導體銷售額今年5月沒有達到去年同月的銷售額，這是連續第五個月出現同比負增長。」今年存儲器可謂遭遇「寒冬」。其中DRAM(動態隨機存取存儲器)雖然位居半導體存儲領域市佔率第一的地位，2017年迎來銷售環比大增，但今年情況發生逆轉。

據預測，第三季DRAM價格展望跌幅由原先預估的10%將擴大至10%到15%。考慮國際存儲三家大廠的競爭態勢，加上DRAM製程技術已經面臨物理極限，預估DRAM價格要跌破供貨商的生產總成本可能性極低，但是，不確定性氛圍提高使得數據中心的資本支出放緩，在今年年底前，體質較弱的DRAM供貨商恐怕將遭受庫存損失，財務報表可能轉虧；預計DRAM價格可能將到2020年有機會出現止跌回升。

國際存儲巨頭的情況也不容樂觀，雖然佔據了全球90%以上的DRAM市場份額，但營收普遍下滑。據統計，今年一季度，龍頭公司三星受到報價下跌影響，營收較上季下滑26.3%；而SK海力士的營收位出貨下滑約8%，第一季營收較上季衰退31.7%；美光營收也下滑了約三成。台系廠商也不容樂觀。南亞科第一季營收位出貨下跌超過20%，營業利益率幾乎減半；力晶科技生產的標準型DRAM產品第一季出貨量上升，帶動營收逆勢成長5.7%，涵蓋DRAM代工業務，營收則下滑近15%。

國內企業逆勢擴展

國金證券分析師樊志遠在研報中指出，今年一季度後，存儲器大廠處於高成本庫存，導致二季度、三季度運營成本高於市場預期；預計全球存儲器行業今年衰退30%~35%，牽動全球半導體衰退14%。

在此背景下，國內主要存儲方隊選擇了逆勢布局。本次紫光集團組建的DRAM事業部，紫光集團表示這標誌著集團DRAM戰略正式起航，將進一步拓寬在存儲器領域的相關布局。人事配備上，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長，高啟全擔任紫光集團DRAM事業群CEO。其中，刁石京曾擔任工信部電子信息司司長等職位；高啟全現擔任紫光集團全球執行副總裁、長江存儲執行董事及代行董事長、武漢新芯CEO，有「台灣存儲教父」之稱。

經過多年的發展，紫光集團在存儲器的設計製造領域已形成一定基礎，積累了從設計、生產、測試、方案構建到全球量產銷售等研發和產業化經驗。在DRAM領域，紫光旗下西安紫光國芯自主創新出全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產品；開發的存儲器晶元產品中有二十餘款產品實現全球量產和銷售。

另外，在3D NAND快閃記憶體領域，紫光旗下長江存儲成功研發並已小批量生產了32層3D NAND快閃記憶體晶元，其創新的Xtacking TM技術，實現了3D NAND快閃記憶體晶元結構的歷史性突破。紫光集團表示，基於西安紫光國芯和長江存儲的成功經驗，集團正探索出一條存儲器設計製造的產業發展之路。

芯謀研究首席分析師顧文軍指出，相對而言，DRAM更加成熟、高度集中和更加「標準」的產業特性，做DRAM的難度要遠超NAND Flash。任何新進入者都面臨著技術來源、團隊、專業化運營和成本的幾大難題。目前來看，中國大陸做DRAM的幾家都沒有全面解決上述問題；晉華去年的被禁，就是一個警示。

國內存儲產業原為三大陣營，分別是紫光集團旗下長江存儲，以及合肥長鑫與晉華集成。

由兆易創新、合肥產投等投資的長鑫存儲，目前來看進展相對順利，預期最快將於今年底或明年初進入量產。據報道，長鑫存儲通過購買奇夢達專利部分解決了知識產權問題。

集邦諮詢研究副總經理郭祚榮向證券時報記者表示，只要保證技術來源沒問題，列入實體列表機率就低了；而無論是NAND還是DRAM，發展難度都不低，本輪逆勢擴張取決於國家是否支持。

集邦諮詢指出，紫光並非首次計划進軍DRAM產業，早在2014年期間紫光就曾表達出研發DRAM的決心，但當時為了平衡產業與地方發展，確立紫光發展NAND Flash的路線，DRAM研發之路無疾而終。

此次紫光集團重返DRAM研發之路，除了晉華事件影響外，還有產業布局考慮。合肥長鑫5月在上海參加全球半導體聯盟存儲器論壇時，預計今年底量產8Gb的DRAM產品，但僅有一家正在進行的DRAM廠對中國自主開發DRAM產品的目標是不夠的。目前紫光欠缺的是DRAM的製程技術，這部分預計可望藉由其新任CEO的業界人脈進行補強。

國產化機遇

從政策方面，國家對集成電路產業的重視可見一斑。6月14日晚間，證監會同意科創板IPO註冊，華興源創、睿創微納兩家集成電路企業拔頭籌；另外，科創板申請企業中，還有專註於企業級光存儲解決方案的紫晶存儲，目前在接受科創板第三輪問詢。

5月份，財政部、稅務總局發布公告有關企業所得稅政策中，集成電路企業獲扶持。

資本市場也在孕育半導體國產化機遇。以太極實業為例，2018年6月傳聞落地，國家集成電路產業基金(以下簡稱「大基金」)受讓控股股東6.17%股份，成為上市公司第二大股東。此後，太極實業屢次攬獲半導體工程承包訂單，包括「中國大陸半導體之父」張汝京所創辦的青島芯恩工程總承包訂單。

除了建造，半導體關鍵材料、設備也存在機遇。據介紹，目前各類關鍵工藝設備國產化差異大，CMP、PVD、刻蝕、清洗設備、熱處理的國產化率處於10%~30%，而量測、光刻等設備全部依賴進口。

郭祚榮向記者表示，隨著紫光進一步加碼存儲產業，對半導體設備國產化將會產生助益，關鍵在於國產設備能否滿足相關條件。

國泰君安研報指出，長江存儲是目前對於國產設備最為友好的產線之一。2017年至2018年，長江存儲共採購了17批共計約2000台設備。其中，中微公司供應刻蝕設備，盛美半導體和北方華創等提供清洗設備等。後續隨著產能爬坡，北方華創、中微公司等設備廠商有望加速實現供應。

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