日韓貿易戰與東芝跳電影響內存/快閃記憶體價格走勢？

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件後，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向韓國出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業下游模組廠出現提高報價狀況，然而，由於目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。

日韓貿易戰的爆發使得業界盛傳存儲器價格將反轉，集邦諮詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續三個季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，也因此當前確實有觀察到部分模組廠利用該原物料事件而開出上揚的價格或表示將停止生產。

然而，目前現貨市場佔整體DRAM市場僅不到10%水平，中長期產業的供需態勢仍需關注佔比超過9成的合約市場為主。

從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機，或是企業用伺服器與數據中心建置，目前整體終端需求仍呈現十分疲弱的態勢。

然而，反觀供給端目前DRAM供應商的庫存水平仍普遍高於3個月，也導致PC、伺服器內存及行動式內存的合約價在第三季初仍舊持續走跌，暫時未看見反轉向上的跡象。集邦諮詢認為，DRAM市況受此原物料事件而出現結構性供需反轉的可能性低。

NAND Flash市場行情則受到日本材料出口審查趨嚴，以及東芝停電事件的影響。由於Wafer市場報價已經偏低，預計七月起各供應商報價將浮現漲勢。然而，由於供應商普遍備有2-3個月的庫存水位，多數模組廠不會第一時間接受漲價，後續則需視市場及供應端庫存狀況決定交易價是否上漲。

至於對OEM的各類SSD、eMMC/UFS產品報價方面，目前雖有部分供應商暫停出貨，但從供需狀況分析，並考量OEM端的庫存水位，集邦諮詢認為，雖然NAND Flash價格短期將出現上揚，但長期仍有跌價壓力。

圖片來源：拍信網

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