製造商提升96層3D NAND快閃記憶體晶元良率，2020年佔主流

智東西（公眾號：zhidxcom）編 | 趙佳蕊

導語：面對銷量已經連跌6個月的快閃記憶體晶元市場，製造商積極調整，正努力提升96層3D NAND快閃記憶體晶元的良率，以增強產品競爭力。

智東西7月23日消息，據台媒DIGTIMES報道，根據行業內消息，NAND快閃記憶體晶元製造商正在積極提高96層3D NAND快閃記憶體晶元的良率，希望該晶元能在2020年成為主流NAND快閃記憶體晶元，其中3D快閃記憶體是指將原本平面排列的記憶單元改為垂直方向，不同層面之間通過穿孔聯繫起來，層數越多，製造工藝越複雜。

NAND快閃記憶體晶元製造商想要提高96層3D NAND快閃記憶體晶元的良率的一部分原因是，這一舉措可以降低製造成本，增強產品的競爭力。

一、今年NAND快閃記憶體晶元市場供過於求

有業內人士稱，在2019年96層3D NAND快閃記憶體晶元將佔據全球NAND快閃記憶體晶元產量的30%。隨著供應商加快技術過渡，提高NAND快閃記憶體晶元良率，96層3D NAND快閃記憶體晶元的產量預計在2020年超過64層3D NAND快閃記憶體晶元的產量。

還有業內人士稱，因為NAND快閃記憶體晶元市場的需求放緩，今年NAND快閃記憶體晶元市場供過於求。因此NAND快閃記憶體晶元製造商應該放慢擴張步伐，甚至削減生產規模，以更好的控制庫存。

二、各大廠商正削減NAND快閃記憶體晶元產量

一些企業感知到NAND快閃記憶體晶元的市場疲軟後，開始削減產能。例如，美光科技（Micron Technology）已經宣布將削減NAND快閃記憶體晶元產量的10%。同時SK海力士也曾公開表明，他們估計SK海力士今年的NAND快閃記憶體晶元產能將同比下降10%以上。

另一方面，據報道，三星電子也將在短期內調整NAND快閃記憶體晶元生產計劃，以應對日韓貿易爭端。

有消息人士稱，主要的NAND快閃記憶體晶元製造商將削減64層3D NAND快閃記憶體晶元和其他成熟的產品佔比，以提高96層3D NAND快閃記憶體晶元的產能。

除了提高96層3D NAND快閃記憶體晶元的良率，各大快閃記憶體晶元製造商也在積極推動120/128層3D NAND晶元的研發。有業內人士稱，許多NAND快閃記憶體晶元製造商已經交付了他們的120/128層3D NAND晶元樣本，其中128層3D NAND晶元的競爭或將於2019年下半年到2020年之間拉開帷幕。

結語：快閃記憶體晶元廠商積極調整，應對市場不穩定性

目前全球快閃記憶體市場十分不穩定，例如，全球第二大快閃記憶體供應商東芝在日本的5座NAND快閃記憶體工廠遭遇大規模斷電事故，本月初日韓貿易爭端導致三星的快閃記憶體晶元產量面臨極大地不穩定性等。

面對如此複雜的局面，快閃記憶體晶元製造商或許可以通過提高96層3D NAND快閃記憶體晶元的良率，增強自身競爭力，以適應變化多端的NAND快閃記憶體晶元市場。

文章來源：DIGTIMES

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