三星晶元代工計劃曝光

來源：內容綜合自「cnBeta」和「EEWORLD」，謝謝。

去年10月，三星晶元工廠正式開始使用其7LPP（7nm低功耗+）製造工藝生產晶元，此後並未放緩其製造技術的發展。該公司有望在2019年下半年採用其精製的6LPP（6nm低功耗+）技術開始批量生產晶元。此外，該公司表示將推出其首款5LPE（5nm低功耗早期）SoC並且將在未來幾個月內完成其4LPE（4nm低功耗早期）工藝的開發。

由於DRAM和NAND價格下降，三星半導體業務的綜合收入在第二季度下降至16.09萬億韓元（143.02億美元），而營業利潤總計為3.4萬億韓元（28.77億美元）。雖然三星的內存業務疲軟，但該公司表示其代工業務表現強勁。據三星稱，其合同生產部門對使用10LPP / 8LPP技術製造的移動SoC以及使用14LPx / 10LPP工藝製造的移動，HPC，汽車和網路產品的需求強勁。總的來說，三星晶元工廠使用其領先的FinFET工藝技術生產大量優質產品。

今年晚些時候，三星將採用其6LPP工藝技術開始生產晶元，該技術早些時候又回到了其路線圖。三星的6LPP是三星7LPP的精製版，提供更高晶體管密度（密度提升10%），更低的功耗、此外，6LPP為願意開發全新IP的客戶提供智能結構支持。三星7LPP生產技術發展的下一步將是其5LPE製造工藝。與6LPP相比，這在功耗，性能和面積方面提供了更多的好處，三星預計將在今年下半年推出使用其5LPE技術的首批晶元，預計將在2020年上半年大規模生產。

三星:GAA FET與EUV是半導體領域下一代重要突破

日前，三星半導體博客刊發了一篇TECHnalysis Research公司總裁兼首席分析師Bob O"Donnell的文章，他提出了他對於過渡到全新Gate-All-Around晶體管結構的看法。通過重新思考和重新構建基本的晶體管設計，Bob認為技術行業可以期待幾代工藝技術的改進，同時減少半導體尺寸和功率要求，以及提高半導體性能。

任何關注半導體行業的人都知道晶元性能提升的速度開始放緩。與此同時，工藝公司已經討論了他們減少製造晶元尺寸時面臨的一些挑戰。雖然通常與摩爾定律的繼續發展有關，但更多是伴隨著半導體工藝節點尺寸的減小，影響性能的因素會持續增加。

就在幾個月前，三星半導體的代工業務宣布了晶體管設計方面的一項重大新進展，稱為Gate-All-Around（GAA），它有望在未來幾年保持晶體管級半導體的發展。從根本上說，GAA提供了對基本晶體管設計的重新思考和重新架構，其中晶體管內部的硅通道完全被柵極材料包圍，而不是像三極一樣被柵極材料覆蓋，就像FinFET設計一樣，這種設計可以增加晶體管密度，同時增加溝道的縮放潛力。

整個科技行業都在期待著半導體工藝的改進，這些進步將繼續降低半導體尺寸和功率，並提高半導體性能。GAA與極紫外光（EUV）光刻技術一起被認為是半導體製造領域下一個主要技術進步，這為晶元行業提供了從7nm到5nm到3nm工藝節點的清晰路徑。

從技術上講，由於GAA FET技術降低了電壓，這也為半導體代工業務提供了一種超越FinFET設計的方法。隨著晶體管不斷縮小，電壓調節已被證明是最難克服的挑戰之一，但GAA採用的新設計方法減少了這個問題。GAA晶體管的一個關鍵優勢是能夠降低電壓縮放造成的功耗，同時還能提高性能。這些改進的具體時間表可能不會像行業過去那麼快，但至少關於它們是否會到來的不確定性現在可能會逐漸改觀。對於晶元和器件製造商而言，這些技術進步為半導體製造業的未來提供了更清晰的視角，並且應該讓他們有信心推進積極的長期產品計劃。

GAA的時機也是科技行業的偶然因素。直到最近，半導體行業的大多數進步都集中在單個晶元或單片SOC（片上系統）設計上，這些設計都基於單個工藝節點尺寸構建的硅晶元。當然，GAA將為這些類型的半導體提供重要的好處。此外，隨著新的「小晶元」SOC設計的勢頭增加，這些設計結合了幾個可以在不同工藝節點上構建的較小晶元組件，很容易被誤解為晶體管級增強不會帶來太多的價值。實際上，有些人可能會爭辯說，隨著單片SOC被分解成更小的部分，對較小的製造工藝節點的需求就會減少。然而，事實是更複雜，更細微。為了使基於晶元組的設計真正成功，業界需要改進某些晶元組件的工藝技術，並改進封裝和互連，以將這些元件和所有其他晶元組件連接在一起。

重要的是要記住，最先進的小晶元組件正變得越來越複雜。這些新設計要求3mm GAA製造所能提供的晶體管密度。例如，特定的AI加速器，以及日益複雜的CPU，GPU，FPGA架構需要他們能夠集中處理的所有處理能力。因此，雖然我們會繼續看到某些半導體元件停止在工藝節點的路線圖中，並以更大的工藝尺寸穩定下來，但對關鍵部件的持續工藝縮減的需求仍然有增無減。

科技行業對半導體性能改進的依賴已經變得如此重要，以至於工藝技術的潛在放緩引起了相當多的關注，甚至對可能對整個科技世界產生的影響產生負面影響。雖然GAA所帶來的進步甚至沒有使該行業完全解決了挑戰，但它們足以提供行業所需的發展空間以保持其繼續前進。

據businesskorea報道，代工諮詢公司IBS 5月15日宣布，三星電子在 GAA技術方面領先台積電(TSMC)一年，領先英特爾(Intel)兩到三年。GAA技術是下一代非存儲半導體製造技術，被視為代工行業的突破者。

三星已被評估在FinFET工藝方面領先於全球最大的代工企業台積電。FinFET工藝目前是主流的非存儲半導體製造工藝。

這意味著三星在當前和下一代代工技術上都領先於競爭對手。

三星於當地時間5月14日在美國Santa Clara舉行的2019年三星代工論壇上宣布，將於明年完成GAA工藝開發，並於2021年開始批量生產。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。

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